石英晶体振荡器的主要参数
发布时间:2013/3/22 20:38:01 访问次数:1074
石英晶体振荡器与陶瓷LF50CDT-TR谐振元器件的识别与检测
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差、长期稳定性等参数。
>标称频率f 是指在规定的负载电容下晶振的振荡频率即为标称频率，通常标识在晶振外壳上。
晶振外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界于串联谐振频率与并联谐振频率之间。相同两个晶振外壳所标注的频率一样，在实际工作中频率也会有偏差。
>调整频差 是指在规定条件下，基准温度(25±2)℃时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
>温度频差 是指温度频差是指在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25±2)℃时工作频率的允许偏差。
>老化率是指在规定条件下，允许的晶振工作频率随时间的相对变化。以年为时间单位，此时称为年老化率。
>静电容是指等效电路中与串联臂并接的电容，称为并电容，通常用CO表示。
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差、长期稳定性等参数。
>标称频率f 是指在规定的负载电容下晶振的振荡频率即为标称频率，通常标识在晶振外壳上。
晶振外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界于串联谐振频率与并联谐振频率之间。相同两个晶振外壳所标注的频率一样，在实际工作中频率也会有偏差。
>调整频差 是指在规定条件下，基准温度(25±2)℃时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
>温度频差 是指温度频差是指在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25±2)℃时工作频率的允许偏差。
>老化率是指在规定条件下，允许的晶振工作频率随时间的相对变化。以年为时间单位，此时称为年老化率。
>静电容是指等效电路中与串联臂并接的电容，称为并电容，通常用CO表示。
石英晶体振荡器与陶瓷LF50CDT-TR谐振元器件的识别与检测
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差、长期稳定性等参数。
>标称频率f 是指在规定的负载电容下晶振的振荡频率即为标称频率，通常标识在晶振外壳上。
晶振外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界于串联谐振频率与并联谐振频率之间。相同两个晶振外壳所标注的频率一样，在实际工作中频率也会有偏差。
>调整频差 是指在规定条件下，基准温度(25±2)℃时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
>温度频差 是指温度频差是指在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25±2)℃时工作频率的允许偏差。
>老化率是指在规定条件下，允许的晶振工作频率随时间的相对变化。以年为时间单位，此时称为年老化率。
>静电容是指等效电路中与串联臂并接的电容，称为并电容，通常用CO表示。
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数有标称频率、负载电容、激励电平、工作温度范围及温度频差、长期稳定性等参数。
>标称频率f 是指在规定的负载电容下晶振的振荡频率即为标称频率，通常标识在晶振外壳上。
晶振外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界于串联谐振频率与并联谐振频率之间。相同两个晶振外壳所标注的频率一样，在实际工作中频率也会有偏差。
>调整频差 是指在规定条件下，基准温度(25±2)℃时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
>温度频差 是指温度频差是指在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25±2)℃时工作频率的允许偏差。
>老化率是指在规定条件下，允许的晶振工作频率随时间的相对变化。以年为时间单位，此时称为年老化率。
>静电容是指等效电路中与串联臂并接的电容，称为并电容，通常用CO表示。
相关技术资料- 1-8系统控制
- 3-22石英晶体振荡器的主要参数
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