负载电容
发布时间:2013/3/22 20:39:39 访问次数:1864
>负载电容 晶振相当于电感，组成LF60A振荡电路时需配接外部电容即负载电容。负载电容是与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。
在应用晶体时，负载电容(CL)的值必须按产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的要求。 常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推荐负载电容为lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>负载谐振频率f 是指在规定条件下，晶体与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为阻性时的两个频率中的一个频率。
在串联负载电容时，fL是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，fL则是两个频率中较高的一个。
>动态电阻Ri 是指串联谐振频率下的等效电阻，用R，表示。
>负载谐振电阻是指在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
通常情况下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激励电平是指晶振工作时消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励，也不能欠激励。
常见的激励电平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在应用晶体时，负载电容(CL)的值必须按产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的要求。 常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推荐负载电容为lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>负载谐振频率f 是指在规定条件下，晶体与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为阻性时的两个频率中的一个频率。
在串联负载电容时，fL是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，fL则是两个频率中较高的一个。
>动态电阻Ri 是指串联谐振频率下的等效电阻，用R，表示。
>负载谐振电阻是指在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
通常情况下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激励电平是指晶振工作时消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励，也不能欠激励。
常见的激励电平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
>负载电容 晶振相当于电感，组成LF60A振荡电路时需配接外部电容即负载电容。负载电容是与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。
在应用晶体时，负载电容(CL)的值必须按产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的要求。 常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推荐负载电容为lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>负载谐振频率f 是指在规定条件下，晶体与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为阻性时的两个频率中的一个频率。
在串联负载电容时，fL是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，fL则是两个频率中较高的一个。
>动态电阻Ri 是指串联谐振频率下的等效电阻，用R，表示。
>负载谐振电阻是指在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
通常情况下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激励电平是指晶振工作时消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励，也不能欠激励。
常见的激励电平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在应用晶体时，负载电容(CL)的值必须按产品手册中规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的要求。 常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推荐负载电容为lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>负载谐振频率f 是指在规定条件下，晶体与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为阻性时的两个频率中的一个频率。
在串联负载电容时，fL是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，fL则是两个频率中较高的一个。
>动态电阻Ri 是指串联谐振频率下的等效电阻，用R，表示。
>负载谐振电阻是指在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。
通常情况下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激励电平是指晶振工作时消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励，也不能欠激励。
常见的激励电平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
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