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采用N沟JFET和负电源的电路

发布时间:2012/8/17 20:25:09 访问次数:1048

    图4.15是采用N沟JFET和负TC4069UBP电源的源极跟随器电路。即使用负电源也能够作成N沟JFET源极跟随器。使用负电源时基本的电路构成与图4.1的电路没有什么改变。与使用正电源电路的不同之处仅在于将正电源变为GND,将GND变为负电源。
图4. 15中,使用2SK330GR,并设定漏极电流ID =2mA。由2SK330GR的数据表中得到这时VG=-1.5~0.3V。在计算电路常数时取其分散范围的中间值VGS=-0.9V。

            
    为使电路简单起见,栅极电位设定为GND与负电位的中间值-7.5V,源极电阻为4.3kCl,所以设定ID=2mA(实际上,由于VGS值分散在-1.5~0.3V之间,所以ID也相应地存在分散值)。
    在使用负电源的电路中必须注意电解电容器的极性。图4. 15中,认为输入输出端的直流电位为OV,所以耦合电容的极性是输入输出端一侧为正极性。当该电路前后还接续有其他电路时,要考虑所接续电路的直流电位来决定耦合电容的极性。

    图4.15是采用N沟JFET和负TC4069UBP电源的源极跟随器电路。即使用负电源也能够作成N沟JFET源极跟随器。使用负电源时基本的电路构成与图4.1的电路没有什么改变。与使用正电源电路的不同之处仅在于将正电源变为GND,将GND变为负电源。
图4. 15中,使用2SK330GR,并设定漏极电流ID =2mA。由2SK330GR的数据表中得到这时VG=-1.5~0.3V。在计算电路常数时取其分散范围的中间值VGS=-0.9V。

            
    为使电路简单起见,栅极电位设定为GND与负电位的中间值-7.5V,源极电阻为4.3kCl,所以设定ID=2mA(实际上,由于VGS值分散在-1.5~0.3V之间,所以ID也相应地存在分散值)。
    在使用负电源的电路中必须注意电解电容器的极性。图4. 15中,认为输入输出端的直流电位为OV,所以耦合电容的极性是输入输出端一侧为正极性。当该电路前后还接续有其他电路时,要考虑所接续电路的直流电位来决定耦合电容的极性。

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