图3. 36是N沟JFET与晶体管组M27C512-12F1合放大电路。原理上采用输入阻抗高的FET作为初级源极接地放大电路，第2级采用能够提高放大倍数的双极晶体管发射极接地放大电路。电路的总增益通过输出端向初级源极施加的反馈来固定。了用一个电阻偏置为OV的简单电路结构。而且由于使用的是FET，所以能够增大栅极偏置电阻的数值（因为FET没有栅极电流流动，即使偏置电阻的值很大，在输入端也不会产生直流电压）。

    图3.36的电路中，栅极偏置使用了lOMfl的电阻，设定电路的输入阻抗值非常高(电路的输入阻抗高达10MCl)。另外，由于栅极电位偏置为OV，所以输入端就没有必要插入耦合电容。
    第2级的发射极接地放大电路中由于发射极电阻被电容旁路，所以该级的增益很大。
    电路的总增益A由初级的源极电阻R。和反馈电阻Rf决定。在这个电路中，RS=loOfl,Rf =lokCZ，所以A≈100=40dB.
    当需要改变电路的增益时，可以只改变R。和Rf值。不过由于初级使用的是JFET，它本身的增益比双极晶体管小，所以40dB的水平就是增益的上限。
    当希望提高增益时，如图3.37所示，可以将第2级达林顿连接以提高视在的FE，使得提高整个电路施加负反馈之前的增益。这样，增益的上限差不多能够提高到50～60dB。