MOSFET的跨导gm与JFET相同，是传输LM2575T-5.0函数曲线的斜率，即AVGS与AID之比。
    图2.13是高频放大用N沟MOSFET 2SK241（东芝）的传输特性。这个FET是耗尽型器件，VGS在负电压区时有电流流出，即使VGS越过OV，ID仍然相应地继续增加。多根曲线表明IDSS的分散性。

    图2.14是开关用N沟MOSFET 2SK612 (NEC)的传输特性。这种FET是增强型器件，可以看出如果VGS不是在正电压区，就没有ID流出。

    这里我们稍微分析一下用这两种MOSFET器件2SK241和2SK612替代图2.1电路中的JFET时电路的工作情况。
    照片2.9和照片2.10是这时的栅极电位口。和源极电位口。的波形（输入电压vi与照片2.8中相同，即lkHz，0.5Vp-p）。
    对于2SK241．如照片2.9所示VGS为-0.5V。这与2SK184的VGS值基本相同。如从图2. 13所看到的那样，当漏极电流ID为ImA时，VGS还处于负的区域，不是正值。
    2SK612的情况如照片2.10所示，VGS为+1.3V。因为2SK612是增强型器件，所以如从图2.14所看到的那样，VGS是正值。
    这样，即使同一电路中使用结构和电学特性完全不同的FET，都能够很方便地使其正常工作。
    但是，对于2SK241和2SK612来说，由于是替换2SK184，它们的工作点与2SK184的工作点(ID =lmA)稍有不同，这时因FET的型号而会导致的VGS不同。实际设计时，根据所使用FET的传输特性求出VGS确定工作点就可以了。
    在后面的电路设计一章将对此作详细说明。