栅极接地电路的设计

发布时间:2012/5/24 19:55:56 访问次数:818

图6.1电路的设计指标如下表所示。为了便于对电路B0505S-1W本身的性能进行比较，这些指标与第3章源极接地放大电路的设计指标相同。

    电源电压与FET的选择
    与源极接地电路相同，电源电压取值应该比最大输出电压十源极电阻（本电路中是RS+R3）上的电压降(最低1～2V)之和大。在这个电路中还要加上OP放大器的电源电压，所以取V DD =15V。
    为了便于分析源极接地与栅极接地电路结构的性能差别，FET也选用与源极接地电路相同的N沟JFET 2SK184GR。
    栅极接地电路中选择FET的基准也与源极接地电路相同：栅极一漏极间电压的最大额定值V GDS高于电源电压(在本电路中VGDs>VDD =15V)，漏极饱和电流IDSS要比电路中设定的漏极电流大(关于漏极电流，在选定FET后可以设定低于IDSS)。当然，使用MOSFET时就没有必要考虑IDSS了。

图6.1电路的设计指标如下表所示。为了便于对电路B0505S-1W本身的性能进行比较，这些指标与第3章源极接地放大电路的设计指标相同。

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相关技术资料: 2-9模拟式电容测试仪; 2-4动态调试; 2-1上升或下降时间测量; 5-24栅极接地电路的设计; 5-24栅极接地电路的设计; 9-24自动焊接技术

相关IC型号: B0505S-1W; B0505LS-1W

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