偏置电路的设计
发布时间:2012/5/22 19:13:14 访问次数:452
电路的栅偏置电压VG取电源与GND的 MSP430F148IPMR中间值7.5V。这样的话,由于2SK284的VGS相对于7.5V小很多,可以忽略不计(在确定源极电阻时可知GS一-0.15V),所以源极电位V。差不多也处于电GND的中间值,会使最大输出电压更大。
为了使VG处于电源与GND的中间值,令Ri =R2。FET与双极晶体管不同,没有电流流过栅极,所以Ri和R2的电阻值取多大也无妨。
在这里为了提高输入阻抗以利于电路的应用,取Ri=R2=1MQ。当然即使取lookCl或者loktQ,也无妨,不过电阻值小将会降低电路的输入阻抗。
为了使VG处于电源与GND的中间值,令Ri =R2。FET与双极晶体管不同,没有电流流过栅极,所以Ri和R2的电阻值取多大也无妨。
在这里为了提高输入阻抗以利于电路的应用,取Ri=R2=1MQ。当然即使取lookCl或者loktQ,也无妨,不过电阻值小将会降低电路的输入阻抗。
电路的栅偏置电压VG取电源与GND的 MSP430F148IPMR中间值7.5V。这样的话,由于2SK284的VGS相对于7.5V小很多,可以忽略不计(在确定源极电阻时可知GS一-0.15V),所以源极电位V。差不多也处于电GND的中间值,会使最大输出电压更大。
为了使VG处于电源与GND的中间值,令Ri =R2。FET与双极晶体管不同,没有电流流过栅极,所以Ri和R2的电阻值取多大也无妨。
在这里为了提高输入阻抗以利于电路的应用,取Ri=R2=1MQ。当然即使取lookCl或者loktQ,也无妨,不过电阻值小将会降低电路的输入阻抗。
为了使VG处于电源与GND的中间值,令Ri =R2。FET与双极晶体管不同,没有电流流过栅极,所以Ri和R2的电阻值取多大也无妨。
在这里为了提高输入阻抗以利于电路的应用,取Ri=R2=1MQ。当然即使取lookCl或者loktQ,也无妨,不过电阻值小将会降低电路的输入阻抗。
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