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基极偏置电路的设计

发布时间:2012/5/9 19:24:08 访问次数:853

    设发射极电阻RE的压降一发射STF7NM60N极电位,为VE=2V,由于VBE一0.6V,所以基极电位VB必须是2.6V(=2V+O. 6V)。
    由于基极电位是由R.与R2对电源电压进行分压之后的电位,所以,如果设Rz的压降为2.6V,R.的压降为12. 4V(=15V-2. 6V)即可。
    另外,在晶体管的基极流动的基极电流为集电极电流的l/h,。,假设矗,。-200,则流动的基极电流为0. 005mA。
    因此,有必要在R,与R2流过比基极电流大得多的电流,使得基极电流能够忽略。在这里,在R,与Rz上流动的电流取为0.ImA(认为“大得多”-10倍以上就可以)。
    即Ri与R2为

                      

    但是,这个Ri与R2的值在E24系统数列的电阻中是没有的,所以不改变Ri与R2的比值(比值一改变,VB的值就变了),在E24系统的电阻值中来挑选,取为Ri一lookQ,R2 =22kfl(124:26≈100:24).
    在图2. 10中,表示至此所求得的常数及其部分的直流电位。可以知道,在照片2.3~照片2.4表示的各部分中,实际电位几乎与计算值相等。

                          


    设发射极电阻RE的压降一发射STF7NM60N极电位,为VE=2V,由于VBE一0.6V,所以基极电位VB必须是2.6V(=2V+O. 6V)。
    由于基极电位是由R.与R2对电源电压进行分压之后的电位,所以,如果设Rz的压降为2.6V,R.的压降为12. 4V(=15V-2. 6V)即可。
    另外,在晶体管的基极流动的基极电流为集电极电流的l/h,。,假设矗,。-200,则流动的基极电流为0. 005mA。
    因此,有必要在R,与R2流过比基极电流大得多的电流,使得基极电流能够忽略。在这里,在R,与Rz上流动的电流取为0.ImA(认为“大得多”-10倍以上就可以)。
    即Ri与R2为

                      

    但是,这个Ri与R2的值在E24系统数列的电阻中是没有的,所以不改变Ri与R2的比值(比值一改变,VB的值就变了),在E24系统的电阻值中来挑选,取为Ri一lookQ,R2 =22kfl(124:26≈100:24).
    在图2. 10中,表示至此所求得的常数及其部分的直流电位。可以知道,在照片2.3~照片2.4表示的各部分中,实际电位几乎与计算值相等。

                          


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