如式(2.9)所示，电路的放大倍OPA2244UA数是由R。与RE之比来决定的，所以令A-5，取Rc:RE=5：1。
    为了吸收基极一发射极间电压V BE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳
定，RE的直流压降必须在1V以上。这是因为VBE约为0.6V，然而它具有-2.5mV／℃的温度特性，这是由于VBE的变动，发射极电位也变动，集电极电流也发生变化的缘故。
    在这里，取RE的压降为2V，因此Ic =lmA（设lC一IE），则由式(2.3)可得：

               
    
    晶体管的集电极一发射极间电压VCE为集电极电位Vc减去发射极电位VE，所以由式(2.4)得出VCE为：
                     
    晶体管的集电极损耗P。（在集电极一发射极间发生的功率损耗，它变成热量）为：
    PC =VCE．IC
    =3V×ImA=3 mW   
    可知PC在表2.1规定的最大额定值以下。
    还有，Rc的值太大，则在Rc本身的压降变大，集电极电位下降，在输出振幅大时，集电极电位靠近发射极电位，削去输出波形的下侧。
    相反，Rc的值过小时，则集电极电位靠近电源电位，削去输出波形的上侧（参见照片2.5，在该照片中，输出稍增大，就削去输出波形的下侧）。
    因此，在最大输出振幅时，如果电位关系成为削去渡形的关系，则有必要调整VE或者Ic的设定来重新求出Rc与RE。
    最好的办法是将集电极电位Vc设定在VCc与VE的中点，但是像本设计那样，只要满足最大输出振幅的规格，也没有必要特地去将集电极电位Vc设定在中点。