IC和LSI的结构是将晶体管或FET封装SC654ULTRT在其内部而成为现在样子的。这就可以认为IC和LSI是含有电路技术的，是利用晶体管或FET技术改进而来的。
    然而，在最近的晶体管和FET中，能够制作应用了LSI精密加工技术的器件。
    照片1.5是功率开关MOSFET的芯片。该器件是在其内部将大量的小FET并联连接起来的，每一个单元中流过的电流很小，防止局部的电流集中（若电流局部集中，则器件就损坏），同时改善高频特性。目前的功率开关MOSFET几乎都是这种结构。
    另外，在大部分的高速开关晶体管内部，将大量的晶体管并联连接起来。高频功率放大晶体管的一部分也采用同样的结构。

             
    在UHF频带和微波频带等高频范围照片1.5功率开关MOSFET芯片（在该芯片内部，将许多心器件并联连接，以提高芯片的性能。完全像存储器lC的芯片一样。这种微细加工技术是从lC和LSI转移过来的）使用的称为MES  FET(MEtal  Semi-condnctor FET)和HEMT（High Electron Mobility Transistor，高迁移率晶体管）的器件中，必须使用精确控制杂质和)um级正确尺寸精度的技术。这些技术也是由LSI反馈而来的。