分析结论
发布时间:2012/4/28 20:20:56 访问次数:656
从以上的分析过程中开帽前后SSH70N10A样品的反向漏电流数据可得出如下结论：
①样品的反向漏电流变大，结电容变化、不稳定，从而导致振荡器的频率稳定度变差。
②样品的泄漏率满足规范要求，说明漏电流变大不是由于样品漏气造成的。
③开帽后，发现管芯上电极完整、镀层光亮，但其S102钝化层有明显缺陷。照片中显示，在芯片的右上角S102钝化层有缺陷，在左边申部芯片缺一块，但左边的缺陷不影响性能，也满足产品规范中对芯片完整性的要求，造成芯片失效漏电流变大的根本原因是Si02钝化层的缺陷，钝化保护不好。这种缺陷在器件筛选测试过程中可能反映不出，但随着器件的加电工作，以及振荡器经过高低温试验、环境试验后，器件的漏电流会越来越大，最终导致使用中出现频率不稳的故障。
④这种Si02钝化层缺陷是由于芯片工艺加工过程中，在钝化层形成后，光刻S102钝化层形成上电极窗口时引入的，不是S102钝化层的固有缺陷，属于个别现象，不属于批次性缺陷。
①样品的反向漏电流变大，结电容变化、不稳定，从而导致振荡器的频率稳定度变差。
②样品的泄漏率满足规范要求，说明漏电流变大不是由于样品漏气造成的。
③开帽后，发现管芯上电极完整、镀层光亮，但其S102钝化层有明显缺陷。照片中显示，在芯片的右上角S102钝化层有缺陷，在左边申部芯片缺一块，但左边的缺陷不影响性能，也满足产品规范中对芯片完整性的要求，造成芯片失效漏电流变大的根本原因是Si02钝化层的缺陷，钝化保护不好。这种缺陷在器件筛选测试过程中可能反映不出，但随着器件的加电工作，以及振荡器经过高低温试验、环境试验后，器件的漏电流会越来越大，最终导致使用中出现频率不稳的故障。
④这种Si02钝化层缺陷是由于芯片工艺加工过程中，在钝化层形成后，光刻S102钝化层形成上电极窗口时引入的，不是S102钝化层的固有缺陷，属于个别现象，不属于批次性缺陷。
从以上的分析过程中开帽前后SSH70N10A样品的反向漏电流数据可得出如下结论：
①样品的反向漏电流变大，结电容变化、不稳定，从而导致振荡器的频率稳定度变差。
②样品的泄漏率满足规范要求，说明漏电流变大不是由于样品漏气造成的。
③开帽后，发现管芯上电极完整、镀层光亮，但其S102钝化层有明显缺陷。照片中显示，在芯片的右上角S102钝化层有缺陷，在左边申部芯片缺一块，但左边的缺陷不影响性能，也满足产品规范中对芯片完整性的要求，造成芯片失效漏电流变大的根本原因是Si02钝化层的缺陷，钝化保护不好。这种缺陷在器件筛选测试过程中可能反映不出，但随着器件的加电工作，以及振荡器经过高低温试验、环境试验后，器件的漏电流会越来越大，最终导致使用中出现频率不稳的故障。
④这种Si02钝化层缺陷是由于芯片工艺加工过程中，在钝化层形成后，光刻S102钝化层形成上电极窗口时引入的，不是S102钝化层的固有缺陷，属于个别现象，不属于批次性缺陷。
①样品的反向漏电流变大，结电容变化、不稳定，从而导致振荡器的频率稳定度变差。
②样品的泄漏率满足规范要求，说明漏电流变大不是由于样品漏气造成的。
③开帽后，发现管芯上电极完整、镀层光亮，但其S102钝化层有明显缺陷。照片中显示，在芯片的右上角S102钝化层有缺陷，在左边申部芯片缺一块，但左边的缺陷不影响性能，也满足产品规范中对芯片完整性的要求，造成芯片失效漏电流变大的根本原因是Si02钝化层的缺陷，钝化保护不好。这种缺陷在器件筛选测试过程中可能反映不出，但随着器件的加电工作，以及振荡器经过高低温试验、环境试验后，器件的漏电流会越来越大，最终导致使用中出现频率不稳的故障。
④这种Si02钝化层缺陷是由于芯片工艺加工过程中，在钝化层形成后，光刻S102钝化层形成上电极窗口时引入的，不是S102钝化层的固有缺陷，属于个别现象，不属于批次性缺陷。
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