GaAs FET器件表面的钝化层对可LM311P靠性有较大的影响，例如高输出GaAsFET通电老化时直流特性和微波特性劣化就是典型的例子。人们对有和无钝化层的器件，给栅加反偏通电老化，结果各异。实验证明，用腐蚀方法处理特性劣化的器件表面后，发现特性有某种程度的恢复。备厂家不同钝化层的样品进行通电老化后的实验结果如表4. 25所示。

    实验结果表明，尽管不同器件厂的制造工艺存在差别，但用SiN形成的钝化膜效果最好。器件特性的劣化机理和钝化效果，可以用和发光现象有关的光增值反应来解释。
    另外，SiN的钝化效果，从通电老化后的结果，也可以看出高电场和电极金属层有关，其他有明显效果的现象还未发现。MESFET放大器的特性时间漂移和钝化膜的关系正在进行研究。
    漏电流的漂移
    对漂移现象，主要是衬底界面陷阱和表面吸附所致，对此种失效模式可采用表面钝化的方法将其消除。实验证明，漂移现象在FET的静态特性中和通常所说的滞后效应无关。