微缺陷对器件性能影响及其控制方法
发布时间:2012/4/27 19:43:21 访问次数:778
微缺陷包括小夹杂、沉积物、分凝物LM311P及有关结晶学缺陷，微缺陷的尺寸在亚微米量级。采用切克劳斯基法、悬浮区溶法和无坩锅拉制的单晶都存在着微缺陷。快扩散重金属杂质易在微缺陷处沉积，使器件特性退化。控制微缺陷的方法主要有：
①控制晶体生成速度及冷却速度。
②控制保护气氛。
③控制退火处理的温度和时间。
表4. 12是缺陷吸除技术的应用，表4.13是微波功率器件及VLSI对Si衬底的要求。
微缺陷包括小夹杂、沉积物、分凝物LM311P及有关结晶学缺陷，微缺陷的尺寸在亚微米量级。采用切克劳斯基法、悬浮区溶法和无坩锅拉制的单晶都存在着微缺陷。快扩散重金属杂质易在微缺陷处沉积，使器件特性退化。控制微缺陷的方法主要有：
①控制晶体生成速度及冷却速度。
②控制保护气氛。
③控制退火处理的温度和时间。
表4. 12是缺陷吸除技术的应用，表4.13是微波功率器件及VLSI对Si衬底的要求。
相关技术资料- 4-13辐射源周围的空间可以分成两个区域
- 4-28与表面钝化层相关的模式
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