在金属化工艺后，用低温淀积SN75176N方法形成第二层钝化膜，其作用是免除片子操作过程中对金属化图形的划痕及密封管壳中导电颗粒的影响，降低表面离子运动的影响和有害气氛对金属化的腐蚀，提高金属化条抗电迁移的能力。
    采用等离子增强化学气相淀积( PECVD) Si02，可在300～400℃下形成S102钝化膜，也可淀积磷硅玻璃(PSG)和硼硅玻璃。Si的热膨系数比S102大，它们之间存在的内应力对器件可靠性有一定影响。采用射频溅射S102钝化层时，在溅射过程中产生辐射损伤．对MOS晶体管的可靠性也有影响。

    Si3 N4的钝化作用
    Si3 N4具有很好的化学稳定性，它对Na+有很强的阻挡能力，既可防止Na+渗入Si02，还能捕获Na+。淀积温度对Si3 N4膜捕获Na+的能力有很大影响，在850℃热分解法淀积的S13N。膜，对Na+的捕获作用一般比1000℃或llOOoC下制备的Si。N。膜好。当退火气氛中存在湿气，会使钠从Si3 N4膜进入S102 -Si界面。