①失配位错。因掺杂原子半径与硅原子半L6225径相差较大，出现点阵应力，高浓度掺杂会产生位错，会加速杂质扩散，形成发射区“陷落效应”，使器件Wb十，f+，用砷化磷作发射区扩散，可消除此效应As(1.18A)、硅(1.17A)、B(0. 88A)、P(l. 10A)。
    ②氧化层错。例如火柴杆状，表面沾污或由于机械损伤造成。二次缺陷对产品可靠性的影响主要是造成氧化膜针孔，凡增大，软击穿。
    ③滑移位错。高于950℃高温，硅片处于塑性状态，当硅在高温处于受夹状态，会引起切应力，冷却时会引起滑移位错，它会造成器件软击穿或E-C穿通，装片时造成。
    (2)消除晶体缺陷的措施
    消除晶体缺陷的措施主要有：
    ①无位错单晶拉劁工艺控制，如防止粒晶位错传播、防止悬浮物或其他异物进入生长界面、防止热冲击，保持液流稳定和生长界面附加温度梯度稳定、防止振动和机械冲击、控制冷却速度，防止惯性形变的热应力产生等。
    ②防止旋涡缺陷，如控制拉速大于2mmlmin，且不宜太快以免形成横向应力、减少碳沾污、保持径向热场对称、吸除处理，背面生长硬氮化硅膜，提供恒定的应力梯度，可把硅片正面的缺陷吸附到背面，也可把硅片内部的有害杂质Au、Cu吸附到背面。
    ③晶片预退火处理。热氧化前或外延前对晶片进行退火处理，使机械损伤在高温退火期间得以回复，能有效抑制氧化层错和外延层错的产生。硅中氧的含量和氧沉积团对硅晶体的力学性质有明显影响，控制适当的热处理温度，形成低浓度均匀分布的间隙原子或小尺寸《50nm)氧沉积团，可有效提高硅单晶机械强度。
    ④气相腐蚀。表4.1是硅晶片机械损伤区厚度，在热氧化外延前，在高温下进行气相氯、氯化氢等腐蚀，具有退化效应能腐蚀掉晶片表面损伤，表面微缺陷，表面微氧化斑和隐埋扩散合金点，这是消除外延层错和氧化层错的有效方法。

         
   
    ⑤硅片表面清洗。硅片表面污染粘附机理主要有分子间吸附、静电吸附、化合和渗透扩散等方面，消除表面污染措施：
    ·消除有机物污染：油脂、抗蚀剂、皮肤脱落物、微生物。
    ·消除离子杂质污染：金属杂质、酸碱粘附物。
    ·去除硅片表面自然氧化膜。
    ·去除空气中悬浮尘埃。
    清洗表面方式：
    ·化学清洗：有机溶剂、中性洗涤剂。
    ·物理清洗：超声波、刷洗、喷洗。
    ·干法清洗：等离子、紫外线、臭氧、激光。