Sioz外表面电荷
发布时间:2012/4/27 19:12:26 访问次数:1238
起因：沾污、湿气、静电BD6962FVM荷积累造成表面漏电、击穿蠕变。
PNP管的场感应结特性
①V CB -定，沟道长度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B点向C方向移动，JL增大，漏电流也增大。
③VCB再增大，沟道夹断（A点），L不变，Ic0饱和，当Na+非常严重，出现沟道不夹断，即沟道电流非饱和特性。
说明：
①热氧化过程中的杂质分凝现象也会导致P型硅表面N型化，硅中硼在热氧化是有向S102中凝集趋势。
②NPN管的基区表面在Na+浓度高时，也可能N型化，出现沟道特性。
③N-MOSFET也易受反型沟道影响。
④Na+离子的移动，在电老化和高温存放后特别显著，它经常引起漏电流不稳定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A与S102中总电荷(Qm)有关，对于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底电缆增音机要求20年内^ FE漂移<±10%。
表面离子迁移
离子沿氧化韧表面迁移，可激活S102中的局部缺陷使器件击穿退化，Na+向反偏p-n结附近的金属化迁移，使金属化条下面感应结变宽，增加漏电流，降低击穿电压。
表面击穿
①P+N结：因Qm作用使表面空间电荷区变窄，击穿电压下降。高硼扩散表面浓度高，使表面电场更高，表面击穿电压低于体内击穿电压。
②N+P结：因Qm作用使表面空间电荷区变宽，击穿电压升高，但不稳定，因Qm可移动，使击穿电压又下降，可采用p+沟道截断环，提高击穿电压。
③击穿电压蠕变：N+P结雪崩时，表面势垒中热载流子[能量高于（室温）费米能级几个kT]会注入到Si02中去。若M电极（集电极电位）加负电位，则热载流（电子、空穴对）中的空穴进入Si02中，使P区耗尽层宽度变宽，使击穿电压增加，当负偏不变时，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能级已饱和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小电流^FE退化机理
①界面态具有载流子产生作用和复合作用。
②N+结反偏（EB结），到达击穿（雪崩）时，雪崩区的电子、空穴有足够能量轰击E-B结耗尽层附加的表面（S102 -S1界面）引进新的界面态，使表面复合电流增大，造成矗FE下降，当J。增大时，^FE受影响程度很小。当VEB正偏时，工。>lOFr,A时
FE不受雪崩的影响。
③界面态会影响MOSFET:所以沟道载流子受界面态束缚的电荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗电流上升、Nr上升。
PNP管的场感应结特性
①V CB -定，沟道长度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B点向C方向移动，JL增大，漏电流也增大。
③VCB再增大，沟道夹断（A点），L不变，Ic0饱和，当Na+非常严重，出现沟道不夹断，即沟道电流非饱和特性。
说明：
①热氧化过程中的杂质分凝现象也会导致P型硅表面N型化，硅中硼在热氧化是有向S102中凝集趋势。
②NPN管的基区表面在Na+浓度高时，也可能N型化，出现沟道特性。
③N-MOSFET也易受反型沟道影响。
④Na+离子的移动，在电老化和高温存放后特别显著，它经常引起漏电流不稳定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A与S102中总电荷(Qm)有关，对于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底电缆增音机要求20年内^ FE漂移<±10%。
表面离子迁移
离子沿氧化韧表面迁移，可激活S102中的局部缺陷使器件击穿退化，Na+向反偏p-n结附近的金属化迁移，使金属化条下面感应结变宽，增加漏电流，降低击穿电压。
表面击穿
①P+N结：因Qm作用使表面空间电荷区变窄，击穿电压下降。高硼扩散表面浓度高，使表面电场更高，表面击穿电压低于体内击穿电压。
②N+P结：因Qm作用使表面空间电荷区变宽，击穿电压升高，但不稳定，因Qm可移动，使击穿电压又下降，可采用p+沟道截断环，提高击穿电压。
③击穿电压蠕变：N+P结雪崩时，表面势垒中热载流子[能量高于（室温）费米能级几个kT]会注入到Si02中去。若M电极（集电极电位）加负电位，则热载流（电子、空穴对）中的空穴进入Si02中，使P区耗尽层宽度变宽，使击穿电压增加，当负偏不变时，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能级已饱和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小电流^FE退化机理
①界面态具有载流子产生作用和复合作用。
②N+结反偏（EB结），到达击穿（雪崩）时，雪崩区的电子、空穴有足够能量轰击E-B结耗尽层附加的表面（S102 -S1界面）引进新的界面态，使表面复合电流增大，造成矗FE下降，当J。增大时，^FE受影响程度很小。当VEB正偏时，工。>lOFr,A时
FE不受雪崩的影响。
③界面态会影响MOSFET:所以沟道载流子受界面态束缚的电荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗电流上升、Nr上升。
起因：沾污、湿气、静电BD6962FVM荷积累造成表面漏电、击穿蠕变。
PNP管的场感应结特性
①V CB -定，沟道长度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B点向C方向移动，JL增大，漏电流也增大。
③VCB再增大，沟道夹断（A点），L不变，Ic0饱和，当Na+非常严重，出现沟道不夹断，即沟道电流非饱和特性。
说明：
①热氧化过程中的杂质分凝现象也会导致P型硅表面N型化，硅中硼在热氧化是有向S102中凝集趋势。
②NPN管的基区表面在Na+浓度高时，也可能N型化，出现沟道特性。
③N-MOSFET也易受反型沟道影响。
④Na+离子的移动，在电老化和高温存放后特别显著，它经常引起漏电流不稳定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A与S102中总电荷(Qm)有关，对于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底电缆增音机要求20年内^ FE漂移<±10%。
表面离子迁移
离子沿氧化韧表面迁移，可激活S102中的局部缺陷使器件击穿退化，Na+向反偏p-n结附近的金属化迁移，使金属化条下面感应结变宽，增加漏电流，降低击穿电压。
表面击穿
①P+N结：因Qm作用使表面空间电荷区变窄，击穿电压下降。高硼扩散表面浓度高，使表面电场更高，表面击穿电压低于体内击穿电压。
②N+P结：因Qm作用使表面空间电荷区变宽，击穿电压升高，但不稳定，因Qm可移动，使击穿电压又下降，可采用p+沟道截断环，提高击穿电压。
③击穿电压蠕变：N+P结雪崩时，表面势垒中热载流子[能量高于（室温）费米能级几个kT]会注入到Si02中去。若M电极（集电极电位）加负电位，则热载流（电子、空穴对）中的空穴进入Si02中，使P区耗尽层宽度变宽，使击穿电压增加，当负偏不变时，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能级已饱和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小电流^FE退化机理
①界面态具有载流子产生作用和复合作用。
②N+结反偏（EB结），到达击穿（雪崩）时，雪崩区的电子、空穴有足够能量轰击E-B结耗尽层附加的表面（S102 -S1界面）引进新的界面态，使表面复合电流增大，造成矗FE下降，当J。增大时，^FE受影响程度很小。当VEB正偏时，工。>lOFr,A时
FE不受雪崩的影响。
③界面态会影响MOSFET:所以沟道载流子受界面态束缚的电荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗电流上升、Nr上升。
PNP管的场感应结特性
①V CB -定，沟道长度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B点向C方向移动，JL增大，漏电流也增大。
③VCB再增大，沟道夹断（A点），L不变，Ic0饱和，当Na+非常严重，出现沟道不夹断，即沟道电流非饱和特性。
说明：
①热氧化过程中的杂质分凝现象也会导致P型硅表面N型化，硅中硼在热氧化是有向S102中凝集趋势。
②NPN管的基区表面在Na+浓度高时，也可能N型化，出现沟道特性。
③N-MOSFET也易受反型沟道影响。
④Na+离子的移动，在电老化和高温存放后特别显著，它经常引起漏电流不稳定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A与S102中总电荷(Qm)有关，对于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底电缆增音机要求20年内^ FE漂移<±10%。
表面离子迁移
离子沿氧化韧表面迁移，可激活S102中的局部缺陷使器件击穿退化，Na+向反偏p-n结附近的金属化迁移，使金属化条下面感应结变宽，增加漏电流，降低击穿电压。
表面击穿
①P+N结：因Qm作用使表面空间电荷区变窄，击穿电压下降。高硼扩散表面浓度高，使表面电场更高，表面击穿电压低于体内击穿电压。
②N+P结：因Qm作用使表面空间电荷区变宽，击穿电压升高，但不稳定，因Qm可移动，使击穿电压又下降，可采用p+沟道截断环，提高击穿电压。
③击穿电压蠕变：N+P结雪崩时，表面势垒中热载流子[能量高于（室温）费米能级几个kT]会注入到Si02中去。若M电极（集电极电位）加负电位，则热载流（电子、空穴对）中的空穴进入Si02中，使P区耗尽层宽度变宽，使击穿电压增加，当负偏不变时，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能级已饱和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小电流^FE退化机理
①界面态具有载流子产生作用和复合作用。
②N+结反偏（EB结），到达击穿（雪崩）时，雪崩区的电子、空穴有足够能量轰击E-B结耗尽层附加的表面（S102 -S1界面）引进新的界面态，使表面复合电流增大，造成矗FE下降，当J。增大时，^FE受影响程度很小。当VEB正偏时，工。>lOFr,A时
FE不受雪崩的影响。
③界面态会影响MOSFET:所以沟道载流子受界面态束缚的电荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗电流上升、Nr上升。
上一篇：二次缺陷
上一篇：磷硅酸盐玻璃钝化(PSG)
相关技术资料- 4-28内引线材料的质量控制要求
- 4-27Sioz外表面电荷
热门点击
公网安备44030402000607
