进行集成电路可靠性模拟的目的是MFI341S2162为了在设计阶段就能对集成电路的可靠性有一个基本的评价，以优化设计，提高集成电路的可靠性。通常用“环形振荡器频率的变化（与未加应力前相比）来作为电路老化后性能的判别标准。图2. 50给出了125级CMOS环形振荡器的CAS模拟结果。有效沟道长度为0.5ym，扇出-1，老化电压VDD为5.9 V，未老化时频率为41 MHz。由图2.50可以看出，在高电源电压下，环形振荡器的频率变化率很小，这是因为在低漏压和栅压下，漏电流的退化率大，还可以看出，在三种电压下，模拟结果和实验结果吻合良好。

    Lee等第一次提出了简单的经验准则，将分立器件的退化转化成反偏CMOS VLSI电路性能退化。Leblebici等[18]也研究了电路参数如输入上升时间，电容、器件尺寸与热载流子损伤的关系，并提出了NMOSFETS的宏模型。Quaders3等给出了一系列热载流子可靠性设计准则，提出了将器件级的退化转化成CMOS电路寿命的一般准确。该设计准则的核心是引入寿命因子（定义为最坏DC应力与AC应力之比）的概念，包括PMOSFET和NMOSFET两种模型，能够用来快速估计CMOS电路的寿命。