半导体器件设计
发布时间:2012/4/19 19:58:05 访问次数:890
对于半导体器件设计应保证器件SGM4717YG/TR在最高环境（或管壳）温度下工作时和额定功率条件下工作时器件能承受规定的电应力，而且不产生热电特性变化的恶性循环。器件的耐热设计，除了选择热导率高的材料外，主要是采用热补偿技术减少器件性能随温度的变化；采用适当的散热技术降低器件热阻，使用热沟道和强制性空气冷却，以有利于减少封装的热阻；降低器件的绝对最大额定值以使能量耗散最小，即要考虑接合处与环境空气间的热阻(℃/W)、接合处与封装表面间的热阻，或内部热阻(℃/W)、封装表面和环境空气间的热阻，或外部热阻(℃/W)、接合处温度或插脚温度(℃)、封装表面温度或箱壳温度(℃)等，使器件产生的热量能有效地散发到周围空间。
器件的材料、结构和工艺选择应能连续长时间承受最高储存温度和最高工作结温，对小功率器件应不低于175℃，对功率器件应不低于200℃。
应注意芯片、金属化层、焊料、管壳之间热膨胀系数的匹配，以及管壳中各层材料之间的匹配，以保证器件不因经受多次温度变化而引起热阻增大、电性能退化或封装损坏。高可靠性器件应能承受-65～+200℃、50次的温度循环变化。在脉冲条件下工作的器件应考虑瞵态热阻抗设计，使器件的瞬时结温不超过规定值。
又如，真空电子器件的电子注型器件，腔体或慢波线部分的电子注截获是主要热源，而且慢波线尤其是螺旋线是散热的薄弱环节，特别是大功率宽带螺旋线行波管更是如此，其慢波线的输出部分更容易烧坏，更要认真考虑热设计，降低截获提高散热能力，同时还要采取监控措施。
器件的材料、结构和工艺选择应能连续长时间承受最高储存温度和最高工作结温，对小功率器件应不低于175℃，对功率器件应不低于200℃。
应注意芯片、金属化层、焊料、管壳之间热膨胀系数的匹配，以及管壳中各层材料之间的匹配，以保证器件不因经受多次温度变化而引起热阻增大、电性能退化或封装损坏。高可靠性器件应能承受-65～+200℃、50次的温度循环变化。在脉冲条件下工作的器件应考虑瞵态热阻抗设计，使器件的瞬时结温不超过规定值。
又如，真空电子器件的电子注型器件，腔体或慢波线部分的电子注截获是主要热源，而且慢波线尤其是螺旋线是散热的薄弱环节，特别是大功率宽带螺旋线行波管更是如此，其慢波线的输出部分更容易烧坏，更要认真考虑热设计，降低截获提高散热能力，同时还要采取监控措施。
对于半导体器件设计应保证器件SGM4717YG/TR在最高环境（或管壳）温度下工作时和额定功率条件下工作时器件能承受规定的电应力，而且不产生热电特性变化的恶性循环。器件的耐热设计，除了选择热导率高的材料外，主要是采用热补偿技术减少器件性能随温度的变化；采用适当的散热技术降低器件热阻，使用热沟道和强制性空气冷却，以有利于减少封装的热阻；降低器件的绝对最大额定值以使能量耗散最小，即要考虑接合处与环境空气间的热阻(℃/W)、接合处与封装表面间的热阻，或内部热阻(℃/W)、封装表面和环境空气间的热阻，或外部热阻(℃/W)、接合处温度或插脚温度(℃)、封装表面温度或箱壳温度(℃)等，使器件产生的热量能有效地散发到周围空间。
器件的材料、结构和工艺选择应能连续长时间承受最高储存温度和最高工作结温，对小功率器件应不低于175℃，对功率器件应不低于200℃。
应注意芯片、金属化层、焊料、管壳之间热膨胀系数的匹配，以及管壳中各层材料之间的匹配，以保证器件不因经受多次温度变化而引起热阻增大、电性能退化或封装损坏。高可靠性器件应能承受-65～+200℃、50次的温度循环变化。在脉冲条件下工作的器件应考虑瞵态热阻抗设计，使器件的瞬时结温不超过规定值。
又如，真空电子器件的电子注型器件，腔体或慢波线部分的电子注截获是主要热源，而且慢波线尤其是螺旋线是散热的薄弱环节，特别是大功率宽带螺旋线行波管更是如此，其慢波线的输出部分更容易烧坏，更要认真考虑热设计，降低截获提高散热能力，同时还要采取监控措施。
器件的材料、结构和工艺选择应能连续长时间承受最高储存温度和最高工作结温，对小功率器件应不低于175℃，对功率器件应不低于200℃。
应注意芯片、金属化层、焊料、管壳之间热膨胀系数的匹配，以及管壳中各层材料之间的匹配，以保证器件不因经受多次温度变化而引起热阻增大、电性能退化或封装损坏。高可靠性器件应能承受-65～+200℃、50次的温度循环变化。在脉冲条件下工作的器件应考虑瞵态热阻抗设计，使器件的瞬时结温不超过规定值。
又如，真空电子器件的电子注型器件，腔体或慢波线部分的电子注截获是主要热源，而且慢波线尤其是螺旋线是散热的薄弱环节，特别是大功率宽带螺旋线行波管更是如此，其慢波线的输出部分更容易烧坏，更要认真考虑热设计，降低截获提高散热能力，同时还要采取监控措施。
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