HBCC-0601 相互摩擦是产生静电荷的主要原因
发布时间:2020/1/29 13:18:13 访问次数:1571
HBCC-0601飞机结构静电现象的防护,为了防止飞机结构中静电荷积聚所带来的严重危害,可采取以下两种技术措施:
电气搭铁一把飞机结构中各个分离部件之间形成低电阻连接,以消除各部分之间存在的电位差。电气搭铁可以是固定于金属零件(例如非金属连接件每一侧的管子)间的金属条导体,也可以是连接活动部件(如操纵连杆,飞机操纵面以及安装在柔性安装件,如仪表板、电子设各安装架上的元件)之间的短长度柔性编织导体构成。这种连接搭铁条(简称为搭铁条)的一些典型实例如图10-42所示。
金属夹可使连扦运动的,足够长的搭铁线金属夹,搭铁条飞行操纵面橡胶,管夹管夹螺旋形,搭铁引线部件减震安装件.
图10-42 搭铁方法,(a)连杆和控制杆;(b)具有非金属连接的管子;(c)飞行操纵面;(d)隔框处的柔性连接;(e)减振安装设备。
一般说来,搭铁有主和辅之分,这是根据所存在的静电荷引起的电流大小来确定的。主搭铁导体用于主要的部件、发动机、外部表面(如飞机操纵面)与机体结构(飞机的接地)之间。辅搭铁导体用在零部件与地之间以及按规定不需要主搭铁的地方,例如通有易燃主各类集成电路的氧化膜.
PMOS-P沟道金属氧化物半导体;NMOs―N沟道金属氧化物半导体;CMOs一互补型金属氧化物半导体;
SOCMOS一选择氧化膜的互补型金属氧化物半导体;HMOS一高密度N沟道金属氧化物半导体;
GaAs一砷化镓半导体;SOS一硅―蓝宝石半导体。
静电场和静电流却成为致命的杀手。凡是静电放电敏感器件,不管它是安装在设备里面的,还是安装在产品组件上和印制电路板上的,或者是单个集成电路片,一旦遭受到静电放电,就会使器件的物理和电气性能发生改变而失效。器件在遭受静电放电以后,放电电流会烧穿器件的氧化膜。在电子显′微镜底下可以观察到器件心片上有像“弹坑”一样的孔洞,图10-43所示的是一个集成运算放大器心片,在遭到静电放电破坏以后,用电子显微镜拍下的照相图。在照片上可以清楚地看到有一个直径为6 um的“弹坑”。图中④所示的部分是心片的敷铝薄膜;③所示的部分是二氧化硅基底。
不同的静电放电敏感器件所能承受的静电电压的大小也不相同,表10-5列出了几种器件心片的静电破坏电压的数值。
表10-5 几种器件的静电破坏电压,静电放电敏感器件,静电破坏电压(V),场效应晶体管(MOSFEF),互补型金属氧化物半导体晶体管(CMOS),双极型晶体管,可控硅整流器(SCR),精密薄膜电阻(RN型).
静电的产生及其性质,造成静电放电敏感器件损坏的静电是很容易产生的物理现象,两种不同材料的相互摩擦是产生静电荷的主要原因。例如当人穿塑料底或皮底鞋在铺有绝缘橡胶、地毯上行走.
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
HBCC-0601飞机结构静电现象的防护,为了防止飞机结构中静电荷积聚所带来的严重危害,可采取以下两种技术措施:
电气搭铁一把飞机结构中各个分离部件之间形成低电阻连接,以消除各部分之间存在的电位差。电气搭铁可以是固定于金属零件(例如非金属连接件每一侧的管子)间的金属条导体,也可以是连接活动部件(如操纵连杆,飞机操纵面以及安装在柔性安装件,如仪表板、电子设各安装架上的元件)之间的短长度柔性编织导体构成。这种连接搭铁条(简称为搭铁条)的一些典型实例如图10-42所示。
金属夹可使连扦运动的,足够长的搭铁线金属夹,搭铁条飞行操纵面橡胶,管夹管夹螺旋形,搭铁引线部件减震安装件.
图10-42 搭铁方法,(a)连杆和控制杆;(b)具有非金属连接的管子;(c)飞行操纵面;(d)隔框处的柔性连接;(e)减振安装设备。
一般说来,搭铁有主和辅之分,这是根据所存在的静电荷引起的电流大小来确定的。主搭铁导体用于主要的部件、发动机、外部表面(如飞机操纵面)与机体结构(飞机的接地)之间。辅搭铁导体用在零部件与地之间以及按规定不需要主搭铁的地方,例如通有易燃主各类集成电路的氧化膜.
PMOS-P沟道金属氧化物半导体;NMOs―N沟道金属氧化物半导体;CMOs一互补型金属氧化物半导体;
SOCMOS一选择氧化膜的互补型金属氧化物半导体;HMOS一高密度N沟道金属氧化物半导体;
GaAs一砷化镓半导体;SOS一硅―蓝宝石半导体。
静电场和静电流却成为致命的杀手。凡是静电放电敏感器件,不管它是安装在设备里面的,还是安装在产品组件上和印制电路板上的,或者是单个集成电路片,一旦遭受到静电放电,就会使器件的物理和电气性能发生改变而失效。器件在遭受静电放电以后,放电电流会烧穿器件的氧化膜。在电子显′微镜底下可以观察到器件心片上有像“弹坑”一样的孔洞,图10-43所示的是一个集成运算放大器心片,在遭到静电放电破坏以后,用电子显微镜拍下的照相图。在照片上可以清楚地看到有一个直径为6 um的“弹坑”。图中④所示的部分是心片的敷铝薄膜;③所示的部分是二氧化硅基底。
不同的静电放电敏感器件所能承受的静电电压的大小也不相同,表10-5列出了几种器件心片的静电破坏电压的数值。
表10-5 几种器件的静电破坏电压,静电放电敏感器件,静电破坏电压(V),场效应晶体管(MOSFEF),互补型金属氧化物半导体晶体管(CMOS),双极型晶体管,可控硅整流器(SCR),精密薄膜电阻(RN型).
静电的产生及其性质,造成静电放电敏感器件损坏的静电是很容易产生的物理现象,两种不同材料的相互摩擦是产生静电荷的主要原因。例如当人穿塑料底或皮底鞋在铺有绝缘橡胶、地毯上行走.
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