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MC74HCT04FL1 实现磁隔离的技术措施

发布时间:2020/1/2 22:44:06 访问次数:1978

MC74HCT04FL1电场耦合Rm为磁路中两点仍、3间的磁阻体不接地或接地不良,则由于Ci>Cj(电容量与两极板间距成反比,与极板面积成正比)。这将导致加屏蔽体后,干扰变得更大,因而对于这一点应特别引起注意。

从上面的分析可以看出,电屏蔽的实质是在保证良好接地的条件下,将干扰源发生的电力线终止于由良导体制成的屏蔽吨体,从而切断了干扰源与受感器之间的电力线交磁场屏蔽.

磁场屏蔽简称磁屏蔽,用于抑制磁场耦合实现磁隔离的技术措施,它包括低频磁屏蔽和高频磁屏蔽(例如对低电场屏蔽阻抗磁场源近区感应磁场的屏蔽)。

低频磁场屏蔽,低频(100 kHz以下)磁场屏蔽常用的屏蔽材料是高导磁率的铁磁材料(如铁、硅钢片、坡莫合金等),其屏蔽原理是利用铁磁材料的高导磁率对干扰磁场进行分路。由于磁力线是连续的闭合曲线,根据磁路欧姆定律有

m==RmΦm                   (10-4)

式中,仍m为磁路两点间的磁位差(又叫磁压降),单位为安(A),Φm为通过磁路的磁通量,单位是韦伯(Wb)

Φm=Bds (10-5)

Rm=ui (10-6)

若磁路载面s是均匀的,且场的分布也是均匀的,则式(10-6)可化简为

Rn=h=u (10-7)

式中,ui为材料的导磁率,单位为亨/米(H/m),s为磁路的横截面积(m2),J为磁路的长度(n1)。由式可见,若两点间磁位差仍m一定时,磁阻Rn越小,磁通Φm越大;曲式可见,Rm与u成反比,因而磁屏蔽体选用高u铁磁材料,由于其磁阻Rm很小,所以大部分磁通流过磁屏蔽体。

密绕螺管线圈,用铁磁材料做的屏蔽罩加以屏蔽,线圈产生的磁场主要沿屏蔽罩通过,即磁场被限制在屏蔽层内,见图,从而使线圈周围的电路或元件不受线圈磁场的影响。同样,外界磁场也将通过屏蔽罩壁而很少进入罩内,见图,从而使外部磁场不致影响到屏蔽罩内的线圈。若铁磁材料的磁导率〃越高,屏蔽罩越厚,则磁阻越小,磁屏蔽效果越好。但随之使成本增高,体重增加。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

MC74HCT04FL1电场耦合Rm为磁路中两点仍、3间的磁阻体不接地或接地不良,则由于Ci>Cj(电容量与两极板间距成反比,与极板面积成正比)。这将导致加屏蔽体后,干扰变得更大,因而对于这一点应特别引起注意。

从上面的分析可以看出,电屏蔽的实质是在保证良好接地的条件下,将干扰源发生的电力线终止于由良导体制成的屏蔽吨体,从而切断了干扰源与受感器之间的电力线交磁场屏蔽.

磁场屏蔽简称磁屏蔽,用于抑制磁场耦合实现磁隔离的技术措施,它包括低频磁屏蔽和高频磁屏蔽(例如对低电场屏蔽阻抗磁场源近区感应磁场的屏蔽)。

低频磁场屏蔽,低频(100 kHz以下)磁场屏蔽常用的屏蔽材料是高导磁率的铁磁材料(如铁、硅钢片、坡莫合金等),其屏蔽原理是利用铁磁材料的高导磁率对干扰磁场进行分路。由于磁力线是连续的闭合曲线,根据磁路欧姆定律有

m==RmΦm                   (10-4)

式中,仍m为磁路两点间的磁位差(又叫磁压降),单位为安(A),Φm为通过磁路的磁通量,单位是韦伯(Wb)

Φm=Bds (10-5)

Rm=ui (10-6)

若磁路载面s是均匀的,且场的分布也是均匀的,则式(10-6)可化简为

Rn=h=u (10-7)

式中,ui为材料的导磁率,单位为亨/米(H/m),s为磁路的横截面积(m2),J为磁路的长度(n1)。由式可见,若两点间磁位差仍m一定时,磁阻Rn越小,磁通Φm越大;曲式可见,Rm与u成反比,因而磁屏蔽体选用高u铁磁材料,由于其磁阻Rm很小,所以大部分磁通流过磁屏蔽体。

密绕螺管线圈,用铁磁材料做的屏蔽罩加以屏蔽,线圈产生的磁场主要沿屏蔽罩通过,即磁场被限制在屏蔽层内,见图,从而使线圈周围的电路或元件不受线圈磁场的影响。同样,外界磁场也将通过屏蔽罩壁而很少进入罩内,见图,从而使外部磁场不致影响到屏蔽罩内的线圈。若铁磁材料的磁导率〃越高,屏蔽罩越厚,则磁阻越小,磁屏蔽效果越好。但随之使成本增高,体重增加。

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