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PIC18F44J50-I/ML 直流通路或加双向稳压对管

发布时间:2020/1/3 20:14:56 访问次数:1858

PIC18F44J50-I/ML一套典型的ESDS装置(见图5-7),ESDs内容的标识(前面)(眉B),电路板位古标记ESDS警告标记,(看A)印刷电路板静电敏感标识,静电接地插座.

                        

A瞥告标识一国际性的,B装置的外部警告标识一套典型的EsDS装置,C静电接地插座,静电的护的方式.

静电防护应从控制静电的产生和控制静电的消散两方面进行,控制静电产生主要是控制工艺过程和工艺过程中材料的选择;控制静电的消散则主要是快速而安全地将静电泄放和中和;两者共同作用的结果就有可能使静电电平不超过安全限度,达到静电防护的目的。

接地 直接将静电用导线连接泄放到大地,这是防静电措施中最直接最有效的,对于导体通常用接地的方法,如人丁戴防静电手腕带及工作台面接地等。

静电屏蔽 静电敏感元件在储存或运输过程中会暴露在有静电的区域中,用静电屏蔽的方法可削弱外界静电对电子元件的影响,最通常的方法是用静电屏蔽袋和防静电周转箱作为保护。

                         

离子中和 绝缘体往往容易产生静电,对绝缘体静电的消除,用接地方法是无效的,通常采用的方法是离子中和(部分采用屏蔽),即在T作环境中用离子风机,提供一等电位的工作区域。

肺静电材料币Ⅱ设施,防静电材料,静电防护材料通常以其电阻率作为类别划分标志,分为静电导体(导静电)材料、静电耗散(耗散静电)材料和抗静电材料。

电压增益正比于放大管T1和负载管T2输出电阻rds1和rds2的并联值。

CMOs放大电路是集成MOs放大电路中用得较多的一种,与带增强型负载管的NMOS E/E放大电路和带耗尽型负载管的NMOS E/D放大电路比较,其主要特点是,电压增益较高典型值单级可达(30~60)dB],功耗低,但制造工艺复杂。


JFET的栅源电压不能接反,但可以在开路状态下保存。而MOSFET由于栅极一衬底之间的电容量很小,只要有少量的感应电荷就可产生很高的电压,同时RGs很大,所感应的电荷难于释放,以至于感应电荷所产生的高压有可能使极薄的绝缘层击穿,造成管子损坏。因此,无论在存放还是在工作电路之中,都应在栅极一源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护,避免栅极悬空。

求上限频率/缶电路的高频小信号等效电路所示。

                            

由于R2很小,因此Cgs对输人电路的作用,可近似看成Cgs与Rg并联,而Rg>>Rs,可看成开路。

其次,在很宽的频带范围内Jb比rc和re小很多,rbb的数值也不大,因此b点的对地电压u=-rbrbb可以忽略,即认为b′点是直接接地的。这样就得到了简化小信号等效电路。


深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/


PIC18F44J50-I/ML一套典型的ESDS装置(见图5-7),ESDs内容的标识(前面)(眉B),电路板位古标记ESDS警告标记,(看A)印刷电路板静电敏感标识,静电接地插座.

                        

A瞥告标识一国际性的,B装置的外部警告标识一套典型的EsDS装置,C静电接地插座,静电的护的方式.

静电防护应从控制静电的产生和控制静电的消散两方面进行,控制静电产生主要是控制工艺过程和工艺过程中材料的选择;控制静电的消散则主要是快速而安全地将静电泄放和中和;两者共同作用的结果就有可能使静电电平不超过安全限度,达到静电防护的目的。

接地 直接将静电用导线连接泄放到大地,这是防静电措施中最直接最有效的,对于导体通常用接地的方法,如人丁戴防静电手腕带及工作台面接地等。

静电屏蔽 静电敏感元件在储存或运输过程中会暴露在有静电的区域中,用静电屏蔽的方法可削弱外界静电对电子元件的影响,最通常的方法是用静电屏蔽袋和防静电周转箱作为保护。

                         

离子中和 绝缘体往往容易产生静电,对绝缘体静电的消除,用接地方法是无效的,通常采用的方法是离子中和(部分采用屏蔽),即在T作环境中用离子风机,提供一等电位的工作区域。

肺静电材料币Ⅱ设施,防静电材料,静电防护材料通常以其电阻率作为类别划分标志,分为静电导体(导静电)材料、静电耗散(耗散静电)材料和抗静电材料。

电压增益正比于放大管T1和负载管T2输出电阻rds1和rds2的并联值。

CMOs放大电路是集成MOs放大电路中用得较多的一种,与带增强型负载管的NMOS E/E放大电路和带耗尽型负载管的NMOS E/D放大电路比较,其主要特点是,电压增益较高典型值单级可达(30~60)dB],功耗低,但制造工艺复杂。


JFET的栅源电压不能接反,但可以在开路状态下保存。而MOSFET由于栅极一衬底之间的电容量很小,只要有少量的感应电荷就可产生很高的电压,同时RGs很大,所感应的电荷难于释放,以至于感应电荷所产生的高压有可能使极薄的绝缘层击穿,造成管子损坏。因此,无论在存放还是在工作电路之中,都应在栅极一源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护,避免栅极悬空。

求上限频率/缶电路的高频小信号等效电路所示。

                            

由于R2很小,因此Cgs对输人电路的作用,可近似看成Cgs与Rg并联,而Rg>>Rs,可看成开路。

其次,在很宽的频带范围内Jb比rc和re小很多,rbb的数值也不大,因此b点的对地电压u=-rbrbb可以忽略,即认为b′点是直接接地的。这样就得到了简化小信号等效电路。


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