73568-009场效应管的主要参数,开启电压UT MOs增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值9场效应管不能导通。

夹断电压UP 耗尽型FET的参数,当UGs=LJP时.漏极电流为零。

饱和漏极电流I Dss 耗尽型场效应三极管当UGs=0时所对应的漏极电流。

直流输人电阻R Gs 栅源间所加的恒定电压UGs与流过栅极电流I Gs之比。结型大于107Ω,绝缘栅型为109~1015Ω。

漏源击穿电压U(uR)Ds 使ID开始剧增时的UDs。

栅源击穿电压U(uR)Gs

JFET:反向饱和电流剧增时的栅源电压。

MOS:使sio2绝缘层击穿的电压。

低频跨导g n1 指UDs一定时,漏极电流变化量△ID和栅源电压变化量△UGs之比,表示栅源电压对漏极电流的控制能力。

dI1>gm=dU=|uDs=c,输出电阻rdsdUDsi=[iTi了|LLs=c

极间电容 场效应管三个电极之间的等效电容CGs(栅极与源极间电容)、C GD(栅极与漏极间电容)、CDs(源极与漏极间电容),一般为几皮法,结电容小的管子,高频性能好。

晶闸管的主要参数,正向阻断峰值电压(UDRM) 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压,一般为正向转折电压的80%。

反向重复峰值电压(URRM) 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压,一般为反向击穿电压的80%。

通态(峰值)电压(UTM) 晶间管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压(一般为2V)。

通态平均电流(额定电流)IT(Av) 在环境温度为40℃和规定的冷却条件下,晶闸管在电阻性负载导通角不小于170°的单相工频正弦半波电路中,当结温稳定且不超过额定结温时所允许的最大通态平均电流。

门极触发电流IGT和门极触发电压Um 在室温下,晶闸管加6V正向阳极电压时,使晶闸管完全导通所必需的最小门极电流,称为门极触发电流GT。对应于晶问管门极触发电流的门极电压称为门极触发电压LIGT。

通态平均电压UT(Av) 在规定环境温度、标准散热条件下,元件通以正弦半波额定电流时,阳极与阴极间电压降的平均值,称通态平均电压(又称管压降)。

维持电流rH和掣住电流JL 维持电流rH:在室温下门极断开时,元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电晶闸管铭牌标注的额定电压通常取UDRM与URRM中的最小值,选用时,额定电压要有一定余量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。