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评价在半导体器件或微电各芯片中铝金属化层上淀积的介质薄膜

发布时间:2019/5/24 19:41:23 访问次数:1890

   玻璃钝化层完整性栓查主要是对玻璃钝化层中的裂缝、空洞和针孔进行评估,其日的是评价在半导体器件或微电各芯片中铝金属化层上淀积的介质薄膜(如化学汽相淀积、溅射或电子束蒸发形成的玻璃钝化层或氮化物等)的结构质量,用来鉴别与工艺和材料有关的玻璃钝化层缺陷,这些缺陷会造成局部污染物堆积并使玻璃钝化的器件失去抗电迁移的优越性。本试验为破坏性试验。

G5V-2-DC5V

   试验标硅

   玻璃钝化层完整性检查参考标准主要为GJB548方法⒛21。

   试验仪器

   本试验所需设备包括保证操作人员安全所需的适当的样品处理和化学腐蚀装置,还包括GJB548方法⒛10中所采用的标准光学显微镜,以及腐蚀用的标准试剂和其他化学药品等。

 

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