需要样品数很大的统计抽样技术在这里是不实用的。表⒋18中规定的晶圆取样要求以及在样品晶圆中规定的特定芯片位置可在保证整体试验置信度的同时,G5V-2-DC5V使试验样品减少至最少。这些芯片代表了金属化结构中最典型的情况或是最坏情况位置。芯片上做SEM评估检查的区域不应位于或靠近晶圆边缘。被检查的区域应是完全没有受到污染的,以保证是在-个未被破坏的金属化区域实施规定的检查。互连金属化的接收应基于对所选芯片区域的检查,来确定单个晶圆的接收与否或一个晶圆批的接收与否。本试验方法中涉及的芯片指对一个具有完全功能的器件芯片的评价。如果鉴定机构批准,也可用一个特定设计的SEM试图形的评价代替。这些测试图形可位于划片区、包含在每个器件芯片内或是用插入式法位于晶圆上某几个特定芯片位置上。

   抽样条件

   本抽样条件适用于金属化层上有钝化层的器件,但检查是用于确定晶圆批的接收与否时,下述第一步和第二步都要采用。当检查是确定单个晶圆的接收与否时,只采用第二步。

  选取晶圆。对确定晶圆批接收与否的每一批,应按表4-18的规定选择晶圆,如果在金肩化操作中同时处理数个晶圆批,每个晶圆批应按表⒋18的规定分组。并从确定晶圆批接收与否的各批晶圆中分别选出一组晶圆。