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,根据所得电子元器件可靠性数据为子设备或系统的可靠性设计提供重要依据

发布时间:2019/4/13 20:09:50 访问次数:1007

   P2V56S40BTP-G6

  

   可靠性试验是可靠性工程的一个基本环节,通过可靠性试验不仅可以了解产品的各项可靠性指标,进行产品质量的鉴定和比较,还可以通过试验来分析产品失效的各种原因,找出改进措施,提高产品质量。同时,根据所得电子元器件可靠性数据为子设备或系统的可靠性设计提供重要依据。

    测试单元组合(Test Element Group,TEG)是指微电子测试结构可靠性评价方法中的 测试结构,也叫测试器件群,其主要指供测试用的晶体管器件。随着集成电路集成化和复 杂化程度的日益提高,仅在成品阶段进行评价已经不够,而必须在集成电路的制造过程中 进行评价。TEG可以针对设计、工艺、材料、单元电路,结合可能出现的失效模式和机 理,制成各种可测试的结构图形。它可以放在电路芯片图形的旁边,也可单独在大圆片上占据几个管芯的位置,甚至单独排列在一个大圆片上形成测试圆片,制片时放在正规圆片 当中,目的是在研发阶段的制造工艺过程中,就能对设计、工艺、材料和基本单元进行可 靠性评价,或者查找失效模式,得如失效机理,以便及时进行反馈。在大规模生产阶段, 也可用来监测监控工艺流程。例如,当设计了一种新的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)器件时,在制造流程中需要测定其电特性,从这些电特性来推导器件模式参数,这 时设计专门用于测试的晶体管,即TEG,在TFT阵列基板的制作过程中,也可以在显示 区外制造专门的TFT供测试检查用。


   所谓可靠性试验,从广义上讲,凡是与可靠性有关的试验都属于可靠性试验。也就是说,为提高产品可靠性而进行的有关产品的失效及其效应的试验统称为可靠性试验。这里所指的可靠性试验是对受试样品施加一定的应力(对电子元器件产品功能有影响的各种外界因素在可靠性术语中称为应力),在这些应力(指电的、机械的、环境的)作用下,使受试样品反映出性能的变化,从而判断产品是否失效的试验。简要地说,为评价分析产品的可靠性而进行的试验,指的是成品的可靠性试验。

     本章讲述可靠性试验的分类、抽样理论及方法、筛选试验、失效分布类型的检验、寿命试验的理论和数据处理等,最后给出对电子元器件分级的可靠性鉴定试验。

   可靠性试验是评价产品可靠性水平的重要手段。目前把测定、验证、评价、分析等为提高产品可靠性而进行的各种试验,统称为可靠性试验。可靠性试验是开展产品可靠性工作的重要环节。

   可靠性试验一般是在产品的研发阶段和大规模生产阶段进行的。在研发阶段,可靠性

试验主要用于评价设计质量、材料和工艺质量。在大规模生产阶段,可靠性试验的目的则是质量保证或定期考核管理。由于阶段不同,其目的和内容也不完全相同。根据不同阶段、不同目的所开展的可靠性试验的内容。可靠性试验应贯穿产品的研制、设计、制造和使用的各个阶段,只是各个阶段试验的 目的不同,其内容不同而已。

  可靠性试验与电子材料及元器件的例行试验是不同的。例行试验的目的只是保证 产品在出厂验收时,判定其性能参数是否符合出厂指标,也就是判定产品合格或不合 格。一般来说,它可以直按用仪器进行测试来确定。而可靠牲试验是要用统计方法进 行定量分析,从而得出可靠特性指标,其不能直接用仪器进行度量来确定。而且,二 者在应力等级的选取,施加应力的方法等方面均不同,这些是两个范畴的问题。因此,可靠性试验和例行试验是两个不同的概念,两种不同的试验方法,彼此之间不能 相互取代。



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   可靠性试验是可靠性工程的一个基本环节,通过可靠性试验不仅可以了解产品的各项可靠性指标,进行产品质量的鉴定和比较,还可以通过试验来分析产品失效的各种原因,找出改进措施,提高产品质量。同时,根据所得电子元器件可靠性数据为子设备或系统的可靠性设计提供重要依据。

    测试单元组合(Test Element Group,TEG)是指微电子测试结构可靠性评价方法中的 测试结构,也叫测试器件群,其主要指供测试用的晶体管器件。随着集成电路集成化和复 杂化程度的日益提高,仅在成品阶段进行评价已经不够,而必须在集成电路的制造过程中 进行评价。TEG可以针对设计、工艺、材料、单元电路,结合可能出现的失效模式和机 理,制成各种可测试的结构图形。它可以放在电路芯片图形的旁边,也可单独在大圆片上占据几个管芯的位置,甚至单独排列在一个大圆片上形成测试圆片,制片时放在正规圆片 当中,目的是在研发阶段的制造工艺过程中,就能对设计、工艺、材料和基本单元进行可 靠性评价,或者查找失效模式,得如失效机理,以便及时进行反馈。在大规模生产阶段, 也可用来监测监控工艺流程。例如,当设计了一种新的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)器件时,在制造流程中需要测定其电特性,从这些电特性来推导器件模式参数,这 时设计专门用于测试的晶体管,即TEG,在TFT阵列基板的制作过程中,也可以在显示 区外制造专门的TFT供测试检查用。


   所谓可靠性试验,从广义上讲,凡是与可靠性有关的试验都属于可靠性试验。也就是说,为提高产品可靠性而进行的有关产品的失效及其效应的试验统称为可靠性试验。这里所指的可靠性试验是对受试样品施加一定的应力(对电子元器件产品功能有影响的各种外界因素在可靠性术语中称为应力),在这些应力(指电的、机械的、环境的)作用下,使受试样品反映出性能的变化,从而判断产品是否失效的试验。简要地说,为评价分析产品的可靠性而进行的试验,指的是成品的可靠性试验。

     本章讲述可靠性试验的分类、抽样理论及方法、筛选试验、失效分布类型的检验、寿命试验的理论和数据处理等,最后给出对电子元器件分级的可靠性鉴定试验。

   可靠性试验是评价产品可靠性水平的重要手段。目前把测定、验证、评价、分析等为提高产品可靠性而进行的各种试验,统称为可靠性试验。可靠性试验是开展产品可靠性工作的重要环节。

   可靠性试验一般是在产品的研发阶段和大规模生产阶段进行的。在研发阶段,可靠性

试验主要用于评价设计质量、材料和工艺质量。在大规模生产阶段,可靠性试验的目的则是质量保证或定期考核管理。由于阶段不同,其目的和内容也不完全相同。根据不同阶段、不同目的所开展的可靠性试验的内容。可靠性试验应贯穿产品的研制、设计、制造和使用的各个阶段,只是各个阶段试验的 目的不同,其内容不同而已。

  可靠性试验与电子材料及元器件的例行试验是不同的。例行试验的目的只是保证 产品在出厂验收时,判定其性能参数是否符合出厂指标,也就是判定产品合格或不合 格。一般来说,它可以直按用仪器进行测试来确定。而可靠牲试验是要用统计方法进 行定量分析,从而得出可靠特性指标,其不能直接用仪器进行度量来确定。而且,二 者在应力等级的选取,施加应力的方法等方面均不同,这些是两个范畴的问题。因此,可靠性试验和例行试验是两个不同的概念,两种不同的试验方法,彼此之间不能 相互取代。



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