半破坏性分析:自动开封,镜检正常;电性验证:开封后电性能复测,再次证实器件失效;SI4435DDY-T1-GE3正面失效定位,采用PEM和OBIRCH技术;背面失效定位,分别对好坏样品进行PEM和OBIRCH定位,ESD失效样品在客户IP内部发现有效亮点;物理分析,采用RIE去除钝化层,手动研磨/抛光去铜互联层剥层,针对亮点及附近进行有选择性剥层和SEM观察,亮点及附近所用层次形貌正常,没有发现ESD相关的失效现象;同Pin89或邻近ESD保护电路及IP内部亮点到Pin89IO线路排查、SEM观察,在Pin9o EsD保护电路附近,发现囚静电放电效应导致的I'VM(B漏极到栅极击穿。

   小结:该案例失效分析中,受损的LV M()S线路和客户Ⅱ)内部的PEM亮点物理距离相差甚远。因为LV MOS第二级反向器中PMOs漏极到栅极击穿,使连接该线路的 IP内部PEM亮点处的线路处于异常饱和状态.产t光发射现象。失效I'VM()s线路是该芯片EsD设计薄弱处,对芯片制程波动较为敏感¨导致该产甜:静电放电的防护能力不稳定,如图11.37所示。