综上所述.集成电路正向亚微米、深亚微米、多法布线结构的方向发展。 SI6544DQ同20世纪70年代的约鬲微米技术相比.失效机理变得纷繁复杂,同时也带来一些新的失效因素n新的失效因素不仅对可靠性产生影响,分析、诊断及研究的难度也更具挑战性。相应的,集成电路的失效分析,也发展到不仪复杂,而且昂贵:(附录图l:常川失效分析实验室设备)c失效分析通常得涵盖一系列系统性、逻辑分析和诊断过程,需要一系列失效分析设备,包括电性表征仪器、针对封装器件(package―level)的非破坏性分析设备、半破坏性开封设备、失效定位设备及研究分析电路某些微Lx内的形貌、纬构、组分和状态问题的微分析表面分析仪器、样品制备装置等”同时,1h于器件的门类,爿l种繁多.结构'丨生能差舁性很大.它们所经历的环境、应力条件亦不同,失效件的来源.可靠性等级以反要求分析日的也不相同:因此・集成电路失效分析技术勹方法是要求把「具、设备、仪器竿检查测试分析手段与分析居、路及分析方案综合在一起的技术.具体对一个分斫案例・吏用u那-砷分析技术,还根据实际情况来决定。