在大规模集成电路制造中,如晶片L1mm2的区域,就可制造几百万颗光学显微镜无法辨认的器件,而各种污染,如颗粒、金属离子污染、有机物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,时刻影响着芯片器件的存活。为获得最好器件性能、长期的可靠性和高良率,晶片清洗制程显得尤为重要。

  晶片清洗是一个复杂课题,苜先,大规模集成电路制造有很多种可能的沾污,几百步制程中每一步都可贡献一种或几种污染;另一方面,随着器件高度集成化,对污染的要求更高,防范的范围更宽,囚此清洗的难度就更大。例如90nm cM()S及以下制程,清洗多达一二百步,清洗不但要求去除颗粒和化学污染物,不伤及晶片表面不该伤及的部分,还要求过程安全、简单、经济和环保。

   本章我们将了解微电子制造中遇到的污染类型、相关污染的污染源、污染在集成电路中缺陷反映,各种现用清洗技术,清洗设各及清洗中用到的测量设备。