封装类型
发布时间:2017/11/16 20:52:43 访问次数:451
(l)基本情况:SMI(13um数模混合制程,静电放电(elect∞static discha喟e EsD)的防护能力不稳定。人体放电模式(hun1an body m。del HBM)在⒛00V失效(规范:>2O0oV)。该产品所用的I/O和IP.均由客户自行设计:SI4410BDY-T1-E3
(2)封装类型:LQFP176
(3)失效模式:I/O-TO-I/O的静电放电测试后.Pin89相对肛V漂移大于规范。
(4)失效机理:Pin9o EsI)保护电路附近,因静电放电效应导致的I'VM()s漏极到栅极击穿。
(5)失效原因:失效I'VM()s线路是该芯片ESD设计薄弱处,测试时有大电压或大电流通过.引起本征击穿。
(6)失效分析手法:①非破坏性分析:测试结果/失效验证,好坏样品rV曲线对比.
(l)基本情况:SMI(13um数模混合制程,静电放电(elect∞static discha喟e EsD)的防护能力不稳定。人体放电模式(hun1an body m。del HBM)在⒛00V失效(规范:>2O0oV)。该产品所用的I/O和IP.均由客户自行设计:SI4410BDY-T1-E3
(2)封装类型:LQFP176
(3)失效模式:I/O-TO-I/O的静电放电测试后.Pin89相对肛V漂移大于规范。
(4)失效机理:Pin9o EsI)保护电路附近,因静电放电效应导致的I'VM()s漏极到栅极击穿。
(5)失效原因:失效I'VM()s线路是该芯片ESD设计薄弱处,测试时有大电压或大电流通过.引起本征击穿。
(6)失效分析手法:①非破坏性分析:测试结果/失效验证,好坏样品rV曲线对比.
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