当集成电路的M(B器件,经过一段时间的下作,器件的电学性能会逐步退化。如阈值U2008B-MY电压(V|b)漂移.跨导(Gm)降低,饱和电流(Jdψ)减小,关态泄漏电流(Ii")升高,最后导致器件不能正常丁作。研究表明,这种现象是由热载流子所致,故称为热载流子注人效应(H ot(rF1rrier Injection,HCI)。

   热载流子是指其能童比费米能级大几个KT以上的载流子。这些载流子与晶格不处于热平衡状态,当其能量达到或超过Si SiO=界面势垒时(对电子注人为3.2eV,对帘穴注人为1.5eV)便会注人氧化层中.产⒋界画态、氧化层缺陷或被陷阱所俘获.使氧化层电荷增加或波动不稳,这就是热载流子效应。热载流子包括热电子和热空穴。