在CMOS的制程中,多晶硅栅极的N型和P型是利用多晶硅的厚度,离子置人(implant)和热制程(thermal)进行调整。然而随制程演进对超浅结的要求减少了相当多的制程,R05107ANP-011若栅极掺杂的浓度没有控制好,栅极和氧化层的接口将发生掺杂浓度不够的问题,而在M()S操作时在栅极内生成额外的电容(juncti°n capacitancc),这将导致M(泻的有效氧化层厚度增加而降低效能。这现象叫做Poly depleti°n。伴随高介电材料(high乃)自勺使用引人了金属栅(mctal gate)。金属栅不会发生Polydepletion的问题,然而在材料的选择对功函数的考虑十分重要,必须要能兼顾N型和P型MOS的要求,不然在CM()S的匹配性上就会发生问题,反而不能提升器件的效能。