栅极材料主要是使用低压化学气相层积的多晶硅栅(poly gate)。其重点在于对栅极线宽(gate length)和氧化层接口浓度(p。ly depletion)的控制。R05107ANP逻辑电路的逻辑栅主要使用最小线宽的M()S「ET,在这个条件下操作的M()S电性参数lAl为短通道效应(Short ChannelEffect,SCE)而对线宽控制非常敏感。短通道效应是栅极线宽变窄时,源极和漏极的交互影响所致。图12.2以0.25um和0.13um的制程为例,横轴是栅极的线宽,纵轴是M(B开启电压(threshold x oltage,Vt),lRl为组件设计不同(主要是指源极和漏极的PN juncti°n的浓度分布),二者对栅极线宽缩小时的反应也就很不一样。0,25um的开启电压随着栅极线宽缩小而降低,0.13um的开启电压不但是先升后降,其下降的曲线也是相当陡峭的。为了生产上有更好的控制,一般会避开开启电压下降太快的区域,这得依赖超浅PN结(ultrta_shall°w junction)的制程来达成。