二次电子产额随原子序数的变化不大,它主要取决于表面形貌。在二次电f发射过程次电子的数日原电子数日的比值称为二次电子产额,主要与入射电f能量、人射电T048-2DCN子人射角、材料的逸出功以及表面粗糙度有关。图⒒.23为二次电子产额勹入射电子能壁的关系,曲图可见,人射电子能量E较低时,随束能增加二次电子产额ε增加,而在高束能区,ε随F增加而逐渐降低。这是因为当电子能量开始增加时,激发出来的二次电子数量白然要增加.同时.电子进人到试样内部的深度增加,深部lx域产生的低能二次电子在像表面运动过程中被吸收。由于这两种因素的影响人射电子能量与a之间的曲线上出现极大值,这就是说,在低能区,电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发,高能区主要是增加入射电子的穿透深度。在图中可以发现,当能量介于E1和E2之间,二次电子产额ε>1。