在集成电路制造中,污染无处不在,是个不可忽视的因素,因为它们会损害芯片的质量、 TC4S66F降低芯片的效能。据估计5O%良率损失来源于污染。污染对半导体器件的影响很复杂,因此针对不同的污染,采取不同的应对措施。

   颗粒可能牢固地紧缚于晶片表面,在膜层沉积时共生,成为掩埋缺陷;颗粒可引起各种制程操作的障碍或形成幕罩。例如,颗粒妨碍离子植人或干扰光刻图案的正常曝光。在刻蚀时,颗粒阻断光刻图案向膜层图案的转移;在制程的后段部分(金属内连接),颗粒能引起导线的断开和临近线的导通,如图9,1所示。当集成电路制造的线宽微缩到40nm以下,很小尺寸的颗粒都会导致IC的失败,最小颗粒尺寸的要求仰仗于颗粒所处的区域和该区域的器件特征尺寸。一般讲,颗粒尺寸如果超过器件最小特征尺寸的50%,就有导致器件失效的可能。