大多数可行的高介质湿法去除是采用HF基的化学品
发布时间:2017/11/7 21:53:25 访问次数:775
大多数可行的高介质湿法去除是采用HF基的化学品。通过加入酸或醇9HF基溶液的刻W15-0180-M-0075HC蚀选择性可得到改善。HF溶液中每个组分的变化相对函数pH可从理论上得到计算。Paraschiv等人做了这种理论计算和实验刻蚀率的比较,如BF2-Hf02(HfC)2膜接受过的植人伤害)、HfO2和炉管氧化硅Ⅱ∷。如图9.17所示,在pH值为0~1时,没有分离的HF担负HfOz的刻蚀,|盯在pH值为0以下时,SiO2和Hf()!的去除明昆受H浓度的影响。这种发现给出一个在―定pH值范围内使用酸性HF时,相对于sOr选择性地去除Hf()2的可能。
大多数可行的高介质湿法去除是采用HF基的化学品。通过加入酸或醇9HF基溶液的刻W15-0180-M-0075HC蚀选择性可得到改善。HF溶液中每个组分的变化相对函数pH可从理论上得到计算。Paraschiv等人做了这种理论计算和实验刻蚀率的比较,如BF2-Hf02(HfC)2膜接受过的植人伤害)、HfO2和炉管氧化硅Ⅱ∷。如图9.17所示,在pH值为0~1时,没有分离的HF担负HfOz的刻蚀,|盯在pH值为0以下时,SiO2和Hf()!的去除明昆受H浓度的影响。这种发现给出一个在―定pH值范围内使用酸性HF时,相对于sOr选择性地去除Hf()2的可能。
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