晶片有三种污染类型:颗粒污染、薄膜污染、痕量分子或原子污染Lll。颗粒是晶片L出现的任何异常小的材料块,且与正常图案相比,有容易识别的形貌。TA7607AP当IC制造的特性尺寸缩减,对引起缺陷的颗粒尺寸、数量的要求也在减少。颗粒来源于洁净室里人、设各、传输系统、反应气体、清洗液体、制程反应室壁脱落、制程过程、洁净室空气、晶片盒等。有关人产生的颗粒,如来自洁净室服装、毛发、皮肤屑脱落、化妆和个人饰品,呼吸也会有较高污染,每次呼吸释放大量水滴(含钠)和颗粒到空气中;设备在传输晶片过程中的接触或机械振动,会产生颗粒;膜层沉积时,反应气体中微小颗粒可作为晶核,随膜长大;同样清洗药液中的颗粒会吸附于晶片表面等。

   薄膜污染,是指晶片膜层在刻蚀或生长时,受表面污染离子、外来材料、内部应力等因素的影响,造成外层膜位错、破坏、变形、变性,进而导致后续制程败,像时常发生的光阻与前层对准(overlay)超差、光阻残留、清洗时膜层离子粘附、膜层沉积缺陷、膜厚控制错误等。液体和气体化学品则倾向于形成离子污染和薄膜污染。

   金属和离子污染是膜层污染的一部分。在晶片湿法刻蚀或清洗时,溶液中的分子或离子粘附晶片表面,在膜层沉积时,污染物沉积于膜层中或在膜层内扩散,改变膜的特性。晶片清洗污染,是通过化学品或超纯水来清除离子、细菌、有机颗粒和无机残渣,对于纯水中的细菌,一般用紫外线杀死或把细菌打破成碎片,随后过滤去除。