要避免第二种条纹,需要更多的聚合物在主刻蚀过程屮沉积在光刻胶上,以防止光刻胶快速地消耗。 MMBF4391LT1在主刻蚀步骤中,工艺参数的实验设计结果总结在图8,扭中,包括有C4F:02气体的比率、偏置功率/源功率比率和压力。图8.3表明:①C4Fs/02比率越高,第二种 条纹就越轻微,冈为C1F`越多产/r的聚合物就越多;而较低的02比率,消耗的聚合物就较少。这意味着光刻胶上总的聚合物积累在增加,使其最薄弱的点上不会被强等离子轰击,而避免F第二种条纹。②低的偏置功率∵源功率比率。T以减弱第二种条纹,囚为偏置功率主要控制等离子巾的离子加速度,所以低偏贳功率可以减小离子的轰击能量,而高的源功率提供F更高的等离子密度・这将产生更多的聚合物,保护光刻胶免受离f的轰击。因此更低的偏置功率和更高的源功率是减小第工种条纹的切实自1行的方向。③更高的压力可以在某种程度上减小轰击,改善条纹状态。