通孔刻蚀工艺主要采用高偏置功率和高源功率去刻蚀通孔
发布时间:2017/11/4 11:41:47 访问次数:430
图8.33显示的是第二种条纹的机理: MC68HC711E20CFU3高偏詈功率造成了高能轰击,这会加速消耗光刻胶c当半导体制造来到F65nm及以下节点,通孔刻蚀中光刻胶的厚度变得越来越无足轻重了,特别是在图形稠密l×,在高偏置功率轰击下.光刻胶的消耗会更快。无论何时,在全部刻蚀丨艺结束前。光刻胶 消耗殆尽,等离子将直接轰击帽层和低乃介质。在某些没有光刻胶掩膜的最薄弱点,将导致不正常的图形。简单地说,第二种的条纹仅形成在通孔的顶部,最差的情形是出现针孔。
图8.33显示的是第二种条纹的机理: MC68HC711E20CFU3高偏詈功率造成了高能轰击,这会加速消耗光刻胶c当半导体制造来到F65nm及以下节点,通孔刻蚀中光刻胶的厚度变得越来越无足轻重了,特别是在图形稠密l×,在高偏置功率轰击下.光刻胶的消耗会更快。无论何时,在全部刻蚀丨艺结束前。光刻胶 消耗殆尽,等离子将直接轰击帽层和低乃介质。在某些没有光刻胶掩膜的最薄弱点,将导致不正常的图形。简单地说,第二种的条纹仅形成在通孔的顶部,最差的情形是出现针孔。
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