为了保证Ti/TiN起到黏合和阻挡作用,需要一定的厚度,特别是在侧壁(sidewa11)。 OPA2134UA/2K5但是glue layer太厚,会有两个问题。一是glue layer远比W高,在有限的∞lltact空间,glue laycr占的比例越大的话,RC就会越大。另一方面,gluc layer越厚的话,越容易在contact顶部形overhang,给随后的W CVD制程带来困难。Overhang严重时,W在contact低部还未填充完全情况下,顶部已封口,在∞ntact中央形成缝隙(seam)。如果seam的位置处于W CMP抛磨区,CMP磨到Seam时,在contact顶部形成开口。⒏am的存在不仅增加了RC,而且会影响到随后的金属互联一铜的电镀(ECP)以及器件的抗电迁移能力。

   对于W CVD,也存在因填洞引起的seam问题。在W沉积过程中,由于W CVD是接近扩散控制的反应,∞ntact顶部相较底部会先接触和多接触反应气体,因此生长会比底部要快,而且W的生长是由侧壁向中心方向生长,因此如果不能很好的控制反应速度的话,顶部先封口也会形成seam,严重时形成空洞(void)。除了填洞能力外,因为W是coYltaCt主要填充金属,W的另一个挑战是如何降低夕以降低RC。