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高宽比/图形倾倒

发布时间:2017/10/26 21:33:27 访问次数:1003

   高宽比/图形倾倒(aspect ratio/pattern∞llapse):高宽比之所以被讨论是由于在显影过程中,显影液、SC1103CS去离子水等在显影完了后的光刻胶图形当中会产生由表面张力形成的横向的拉力,如图7.39所示。对于密集图形,由于两边的拉力大致相当,问题不是太大。但是,对于密集图形边缘的图形,如果高宽比较大,便会受到单边的拉力。加上显影过程当中较高速旋转的扰动,图形可能发生倾倒。实验表明,一般高宽比 在3:1以上会比较危险。

   底部残留(scumming):底部残留原因一般为底部光刻胶对光的吸收不够,而造成的部分显影现象。为了提高光刻胶的分辨率,需要尽量减少光酸的扩散长度,而由于光酸扩散带来的空间显影均匀化便减少了。这样,空间的粗糙程度加大了。底部残留一般可以通过优化照明条件、掩膜版线宽偏置(mask bias),以及烘焙温度和时间,以提高空间像对比度,提高单位面积的曝光量来减少。

     

   高宽比/图形倾倒(aspect ratio/pattern∞llapse):高宽比之所以被讨论是由于在显影过程中,显影液、SC1103CS去离子水等在显影完了后的光刻胶图形当中会产生由表面张力形成的横向的拉力,如图7.39所示。对于密集图形,由于两边的拉力大致相当,问题不是太大。但是,对于密集图形边缘的图形,如果高宽比较大,便会受到单边的拉力。加上显影过程当中较高速旋转的扰动,图形可能发生倾倒。实验表明,一般高宽比 在3:1以上会比较危险。

   底部残留(scumming):底部残留原因一般为底部光刻胶对光的吸收不够,而造成的部分显影现象。为了提高光刻胶的分辨率,需要尽量减少光酸的扩散长度,而由于光酸扩散带来的空间显影均匀化便减少了。这样,空间的粗糙程度加大了。底部残留一般可以通过优化照明条件、掩膜版线宽偏置(mask bias),以及烘焙温度和时间,以提高空间像对比度,提高单位面积的曝光量来减少。

     

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10-26高宽比/图形倾倒

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