接近式曝光的分辨率理论极限是其中,乃代表光刻胶的参数,通常在1~2之间;CD代表最小尺寸,即cⅡtical dimeI△⒍on,通常对应最小能够分辨的空间周期的线宽;λ指曝光的波长;g代表掩膜版到光刻胶表空

隙的距离(g=0对应接触式曝光)。 XC1765EJC由于g通常大于10um(由掩膜版和硅片表面平整度所限制),分辨率受到很大限制,如对450nm照明波长,分辨率在3um。而接触式曝光可以达到0,7um。

   为了突破缺陷和分辨率的双重困难,投影曝光方案被提了出来,其中掩膜版和硅片被分开好几厘米以上。光学透镜被用来将掩膜版上的图案透镜成像到硅片上。随着市场需求更大的芯片尺寸以及更严格的线宽均匀性控制,投影曝光也从当初的全硅片曝光逐步发展到全硅片扫描曝光(见图7.2(a))、步进分块重复曝光(step an汪repeat×见图7.2(b)),到最终的步进分块扫描曝光(step an山scan×见图7。2(c))。