尽管存在一些相似性,集成电路XC1765DPD8C中的光刻技术使用光而不是墨水P有墨水和没有墨水的池方也变戍了在掩膜版上有光和没有光的地方。在集成电路制造业中,hthography也此被叫做Photolithography,或者光刻。就像油性的墨水有选择地沉积到石灰石上,光只能 够通过掩膜版上透明的区域,投射光被记录在一种叫做光刻角的光敏感材料上。光刻过程的简单示意图如图7,1所示。

   由于光刻胶经过紫外(UV)光的照射后会经历在显影液中溶解率的变化,掩膜版上的图形会因此被转移到硅片顶层的光刻胶层上。有光刻胶覆盖的地方可以通过阻止进一步的I艺处理(如刻蚀或耆离子注人)来实现掩膜版图形的进一步转移。

   自从1960年以来的光刻技术可以分成以下三种类型:接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。最早出现的是接触式或者接近式曝光[3Jl,这种曝光方式直到⒛世纪中期一直是制造业的主流。对接触式曝光来讲,由于掩膜版和硅片顶层之间理论上没有空隙,分辨率不是问题。但是,由于接触会造成掩膜版和光刻胶的磨损而产生缺陷,人们最终选择了接近式曝光。当然,在接近式曝光中,虽然缺陷被避免了,但是由于存在空隙和光的散射,接近式曝光的分辨率被限制在3um或者更大。