全硅片1:1曝光方式结构简单,而且对光的单色性要求也不高。但是,随着芯片的尺寸和硅片尺寸变得越来越大,XC1765ELPC20C而线宽越来越精细,光学系统在不影响成像质量的情况下无法 将图形一次性地投影到整片硅片上,分块曝光变得不可避免。

   其中一种分块曝光方式是全硅片扫描方式,如图7,2(a)「3]所示。这种方式通过一条圆弧形状的视场将掩膜版上的图案连续地扫描曝光到硅片上。该系统使用两个同光轴的球面镜,而它们的曲率半径和安装距离由不产生像差的要求决定田。但是,当芯片的尺寸和硅片尺寸进一步变得越来越大,而线宽越来越细小,1倍率曝光使得掩膜版在图形制作精度和放置精度上的难度越来越大。于是,在20世纪70年代末期,缩小倍率、分块曝光机便问世了。芯片图样被一块接一块地曝到硅片上,如图7,2(b)所示。

   因此,这种缩小倍率的曝光系统被称作步进一重复系统(stcΓand repeat志ystcm)或者步进机(stepper)。但是,当芯片的尺寸和硅片尺寸进一步变大,而线宽控制愈发严苛,即便是步进机的技术能力也不能够满足需要。解决这种需求与当前技术之间的矛盾便直接导致了步

进-扫描式(step and-scan)曝光机的诞生,如图7.2(c)所示。这种设备是结合了早期的全硅片扫描式曝光机和后来的步进-重复式曝光机的优点而成的混合体:掩膜版是被扫描投影的,而不是被一次投影,整片硅片也是被分块曝光的。这种设备是将光学上的难题转移到了很高的机械定位和控制上。这种设备一直被△业界使用到今天,尤其是被用于65nm及以下技术节点的半导体芯片生产之中。