金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数,两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外,先栅极的I艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求, TC74HC4066AF但是后栅极工艺因为需要重新填充原来多晶硅栅极的地方,因此对薄膜的台阶覆盖性及其均匀度要求较高。

   目前的功函数金属栅极沉积主要采用原子层沉积(AI'D)或射频溅射物理气相沉积法(RFPVD)。两者相比,ALD的方法可以提供很好的阶梯覆盖性,可以得到均匀的金属栅极厚度,为得到稳定的功函数提供保证;而RFPVD的方法可以容易地通过调节反应参数获得不同功函数,同时获得比ALD更高的生产能力。因此先栅极工艺一般选择RFPVD方法 沉积功函数金属,后栅极工艺随器件尺寸减小,会逐渐从RFPVD向AI'D过渡。通常情况下,功函数金属的厚度一般选择在50~100A之间可以获得比较稳定的功函数。

   在后栅极工艺中,功函数金属沉积后,需要再沉积金属Al将金属栅极连接出去。一般采用热铝的方法来完成。之前需要溅射法沉积Ti作为黏附层,CVD铝作为籽晶层。