由于对准记号的信号强度的重要性,而且其受衬底反射率的影响叉比较大,于是,市面A04554上产生了对对准记号信号强度进行模拟的方针运算方法,其中有的精确度还是很高的。如引文和图7。47(a)、图7。47(b)所示[6:]。

   影响套刻精度的因素有很多,主要原因是设备漂移以及硅片和对准记号变形。对于离轴对准系统来讲,一般由于硅片平台、镜头或者掩膜版平台的激光干涉计系统(包括激光系统、移动平台上的平面镜、空气压力传感系统等等)发生漂移,对准显微镜系统相对曝光镜头位置发生漂移,还有硅片温度控制系统(包括平台冷却系统)发生漂移。镜头漂移主要针对像差的漂移,如低阶的二阶、三阶的畸变:D2x、D2Y、D3x等。而像差的漂移分 为两部分:长期的漂移和短期的漂移。长期的漂移一般是由于系统在长期使用当中不断被磨损,老化,如镜头经过长期紫外光的冲击而导致像差变大。一般来讲,经过3个月到半年需要对像差、焦距、套刻进行重新调整。短期漂移一般由于某种突发的情况,如光学探测器的沾污(包括测量光强的、测量空间像的元件),平台反射镜系统内的应力释放(如连接、紧固部分)、干涉计激光器光束输出不稳定、硅片和掩膜版平台的沾污造成硅片和掩膜版吸附不良等。硅片和对准记号的变形主要是由其他工艺带来的,如热过程(thcrmal pr°cess)、化学一机械平坦化I艺。