在热氧化工艺中,主要使N2T6716用的氧源是气体氧气、水等,而硅源则是单晶硅衬底或多晶硅、非晶硅等。氧气会消耗硅(Si),多晶硅(Poly)产生氧化,通常二氧化硅的厚度会消耗0.54倍的硅,而消耗的多晶硅则相对少些。这个特性决定了热氧化工艺只能应用在侧墙工艺形成之前的氧化硅薄膜中。同时热氧化工艺的氧化速率受晶相(111)100)、杂质含量、水汽、氯含量等影响,它们都使得氧化速率变快[1]。具体的方法有:

   Si(固态)+O2(气态)――>Si()2(固态×干氧法)

   Si(固态)+H20(气态)――)SiO2(固态)+2H2(湿氧法)

   化学气相沉积法使用的氧源有02,03,N20等,硅源有TEOS(tetraethyl or tllo⒍hcate,⒏(OC2H5)4),SiH1,BTBAS(二丁基胺矽烷,Bls(tertiarybutylamino)),TDMAS(Tris(Dimetll￠amin。)引⒛e)等「⒉3]。通过LPCVD多片垂直炉管得到氧化硅薄膜的方法有:

TEOS(液态)――>SiO2(固态)+副产物(气态×550~800℃)⒏H4(气态)+N20(气态)――>SiO2(固态)+副产物(气态)(650~900℃)BTBAS+02/C)3―→⒏O2(固态)+副产物(气态×450~600℃)通过单片单腔体的沉积机器获得氧化硅薄膜的方法有TEOS+03、SiH4+O2等,一般的温度范围为400~550℃。