源漏扩展结构(Source/Dr缸n Extension,SDE)在控制MOS器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE(源漏扩展结构)引入了一个浅的源漏扩展区,R1EX24032ATAS0I以连接沟道和源漏区域。结深的微缩归因于SDE深度的降低。随着CMOS尺寸的降低,为控制短沟道效应,结深也需要相应的降低。然而,降低源漏扩展区的深度会导致更高的电阻。这两个互相矛盾的趋势要求新的工艺技术能够在更浅的区域形成高活化和低扩散的高浓度结。

   根据ITRS提供的数据,不同技术节点的结深归纳如表2.4所示。

   表2,4 ITRs不同技术节点的结深结(junction)的制造I艺包含离子注人工艺和注人后退火工艺。离子注人需要小心控制以在最小化的注人损伤下,在近表面获得高掺杂浓度。为满足上述需求,新的I艺技术,

比如无定型化技术、分子离子注人技术和冷注人技术,已经得到应用。为得到掺杂剂的高活化和有限的掺杂剂扩散,注人后退火的热预算非常关键。由于将掺杂原子置人晶格中的活化过程相比掺杂剂的扩散过程需要更高的活化能,快速升降温的热过程有利于高活化和低扩散。针对该目的而开发的毫秒级和亚毫秒级的退火技术已经应用于大规模工业生产。