HKMG(高七介质层+金属栅极)整合工艺

   目前在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内主要存在两大各自固执己见的不同阵营,TC74HC4075AP分别是以IBM为代表的gate first(先栅极)工艺流派和以Inte1公司为代表的gat⒍last(后栅极)工艺流派(见图6.2)「3]。后栅极I艺叉分先高々和后高乃两种不同方法,图6.2所示为先高乃后栅极工艺,Intel公司在妈nm采用,到32nm后转为后高乃后栅极工艺。一般来说使用gate伍rst工艺,高虑介质和金属栅极必须经受漏源极退火I艺的高温,因此实现HKMG结构的难点在于如何控制PMC)S管的V1电压(阈值电压);而gat⒍last工艺虽然工艺复杂,芯片的管芯密度同等条件下要比gate first工艺低,但是金属栅极不需要经受高温过程,不论先高乃还是后高乃。因此先栅极金属栅材料的选择非常困难。