1,ULsI中对光刻技术的基本要求是什么?

   2.什么是光刻?光刻系ICS1893AF统的主要指标有哪些?

   3.简述硅集成电路平面制造工艺流程中常规光刻I序正确的T艺步骤。

   4.光刻技术中的常见问题有哪些?

   5.光刻置艺对掩模版有哪些质量要求?

   6.简述集成电路的常规掩模版制备的I艺流程。

   7.简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。

   8.简述负性光致抗蚀剂曝光前和曝光后在其显影溶剂中的溶解特性差异,并叙述正性光致抗蚀剂曝光前和曝光后在其显影溶剂中的溶解特性差异。

   9.简述光刻胶的成分特征。

   10,光学分辨率增强技术主要包括哪些?

   11.紫外光的常见曝光方法有哪些?

   12,后光刻时代有哪些光刻新技术?

   13.光刻设备主要有哪些?

   14,理想的刻蚀工艺具有什么特点?

   15.影响刻蚀工艺的因素有哪些?

   16.简述湿法刻蚀的步骤。

   17,干法刻蚀是如何分类和定义的?

   18.常见的终点检测设各有哪些?