⒛世纪8O年代中期以后发展起来的LIGA加工、微细电火花加工(EDM)、超声波IC-PST600CMT-R加工等微细加工方法只能加工简单的二维图形,对于复杂二维图形的加I需要研究新的加工方法。针对这一难题,田昭武院士等提出的约束刻蚀剂层技术(Connnes Rc・hallt Layer Tecl△tliqL1e,CEI'T)是用于三维超微(纳米)图形复制加工的新型技术。该方法的基本原理是通过化学反应或其他湮灭方式来消除自电极向外扩散得较远的刻蚀剂,从而达到约束刻蚀剂层厚度的目的。CEI'T是一种既与现有的传统铸膜I艺和r以及LIGA工艺不同叉相互补充的新型化学加工技术。其最大特点是能够在半导体及金属等多种材料上实现二维立体微结构的加工和复制。

   在CELT电化学微加I过程中,加工探针与被加工工件之间的间隙的控制,将是影响CELT电化学微加△质量和刻蚀加工成功的重要囚素,而两者之间的间隙调整是通过纳米级微定位工作台和微力传感器来实现的。带有微力传感器的微定位I作台的性能指标,将直接影响CELT电化学微加置的效果。因此,具有微力传感的纳米级微定位技术是CEI'T电化学微加工仪器研究的关键技术。